JPH04252487A - Memory - Google Patents

Memory

Info

Publication number
JPH04252487A
JPH04252487A JP3143324A JP14332491A JPH04252487A JP H04252487 A JPH04252487 A JP H04252487A JP 3143324 A JP3143324 A JP 3143324A JP 14332491 A JP14332491 A JP 14332491A JP H04252487 A JPH04252487 A JP H04252487A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
latch
serial
output
data
input
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP3143324A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Raymond Pinkham
レイモンド ピンクハム
F Anderson Daniel
ダニエル エフ.アンダーソン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Texas Instruments Inc
Original Assignee
Texas Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from US07/114,887 external-priority patent/US4866678A/en
Application filed by Texas Instruments Inc filed Critical Texas Instruments Inc
Publication of JPH04252487A publication Critical patent/JPH04252487A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Dram (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a pipeline structure for serial side to accelerate the speed of serial output from a dual port memory. CONSTITUTION: In order to output the group of data from a register 8 which can transfer the contents of plural cell positions on the rows of a memory array, a selecting means 22 selects any register position corresponding to the data group. The contents of the register 8 are transferred through an intermediate data line to a latch 112. A circuit 116 is provided for separating the next data group from the latch 112 so that the contents of the latch 112 can not be destroyed by the next data group.

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

【0001】0001

【産業上の利用分野】本発明は、メモリ・デバイス、特
にグラフィック応用に用いるようなデュアル・ポート・
ランダム・アクセス半導体メモリ・デバイスの分野にあ
る。
FIELD OF INDUSTRIAL APPLICATION The present invention relates to memory devices, particularly dual port memory devices such as those used in graphics applications.
In the field of random access semiconductor memory devices.

【0002】0002

【従来の技術及び問題点】以前ほど高価ではない半導体
メモリの出現で、現代のコンピュータ及びマイクロコン
ピュータのシステムはシステムからのデータの出力用に
ビットマップ・ビデオ表示装置を用いることができるよ
うになった。周知の通り、ビットマップ表示装置は少な
くとも1バイナリ・ディジット(ビット)の情報を表示
装置の各画素(ピクセル)ごとに記憶できるメモリを必
要とする。各ピクセルごとに記憶された追加のビットに
より、ビデオ表示装置上の複雑な影像、例えば、マルチ
・カラー影像や、構造上の情報がその上にあるグラフィ
ック・バックグラウンド等のバックグラウンド及びフォ
アグラウンドの影像等をシステムが表現することの可能
性が提供される。ビットマップ記憶を用いることにより
、記憶した影像を容易に発生及び変更するデータ処理操
作も考慮されている。
BACKGROUND OF THE INVENTION With the advent of less expensive semiconductor memory, modern computer and microcomputer systems are now able to use bitmap video displays for the output of data from the system. Ta. As is well known, bitmap display devices require memory capable of storing at least one binary digit (bit) of information for each picture element (pixel) of the display. Additional bits stored for each pixel allow complex images on a video display device, such as background and foreground images such as multi-color images or graphic backgrounds with structural information on top of them. It provides the possibility for the system to express, etc. By using bitmap storage, data processing operations that easily generate and modify stored images are also contemplated.

【0003】現代のビデオ表示装置はしばしばラスタ走
査型のもので、表示したパターンを発生するために、電
子銃が表示画面を横切る水平線をトレースするものであ
る。表示したラスタ走査映像をビデオ画面上に表示し続
けるためには、その映像を周期的な間隔をおいてリフレ
ッシュしなければならない。陰極線管(ブラウン管)ビ
デオ表示装置の共通リフレッシュ率は1秒の1/60で
あるが、これはシステムのユーザである人間にとってこ
の速度で実行されるリフレッシュ動作が顕著ではないか
らである。しかし、画面に表示される画素数が増加する
につれて、表示した映像の解像度を大きくするために、
このリフレッシュの合間に情報のさらに多くのビットを
ビットマップ・メモリからアクセスしなければならない
。もしこのビットマップ・メモリにただ1個の入出力ポ
ートがあるとすると、リフレッシュ間隔が一定のままの
場合、データ処理装置がビットマップ・メモリをアクセ
スできる間の時間の割合は表示装置のピクセルサイズと
ともに減少する。さらに、より多くのビットを一定期間
に出力しなければならないので、メモリの速度を増加し
なければならない。
Modern video display devices are often of the raster scan type, in which an electron gun traces horizontal lines across the display screen to generate the displayed pattern. In order for the displayed raster scan image to continue to be displayed on the video screen, the image must be refreshed at periodic intervals. A common refresh rate for cathode ray tube (cathode ray tube) video display devices is 1/60th of a second, since refresh operations performed at this rate are not noticeable to human users of the system. However, as the number of pixels displayed on the screen increases, in order to increase the resolution of the displayed image,
More bits of information must be accessed from bitmap memory between refreshes. If this bitmap memory has only one input/output port, and the refresh interval remains constant, the percentage of time that the data processing device can access the bitmap memory is the size of the pixel size of the display device. decreases with Additionally, the speed of the memory must be increased because more bits must be output in a given period of time.

【0004】マルチポート・ランダム・アクセス・メモ
リが開発されているが、それらはデータの高速出力をビ
デオ表示装置に提供し、また同様に、メモリの内容の増
加したアクセスの可能性をデータ処理装置に提供するも
のである。マルチポート・メモリはこれを達成するのに
、コンピュータ・システムのデータ処理装置によるメモ
リのランダム・アクセス及び更新用の第一のポートと、
第一のポートから独立して、かつこれに非同期してビデ
オ表示装置へのメモリ内容の直列出力用の第二のポート
とを有し、これによってビデオ表示端末へのデータの出
力中にメモリ内容へのアクセスを可能にすることによっ
て行なう。マルチポート・ランダム・アクセス・メモリ
の例は、米国特許第4,562,435号(1985年
12月31日発行)、同第4,639,890号(19
87年1月27日発行)、及び同第4,636,986
号(1987年1月13日発行)(いずれもテキサス・
インスツルメンツ・インコーポレイテッドに譲渡されて
いる)(これらの対応日本出願は特許公開番号昭和61
−216200号を参照)に記載されている。
Multi-port random access memories have been developed that provide high speed output of data to video display devices and likewise provide increased access possibilities for the contents of the memory to data processing devices. It is provided to A multi-port memory accomplishes this by including: a first port for random access and updating of the memory by a data processing unit of the computer system;
a second port for serial output of the memory contents to the video display device independently of and asynchronously to the first port, whereby the memory contents are output during output of the data to the video display terminal; This is done by providing access to Examples of multi-port random access memories are U.S. Pat.
Issued on January 27, 1987) and No. 4,636,986
issue (issued January 13, 1987) (both Texas
(Assigned to Instruments, Inc.) (These corresponding Japanese applications have patent publication number 1986.
-216200).

【0005】これらの従来のマルチポート・メモリのそ
れぞれにおいて、データはランダム・アクセス・アレイ
の1行中の幾つか又は全てのメモリ・セルからレジスタ
に特別な転送周期中にシフトされる。それから直列出力
をレジスタから達成するが、アレイ中のデータのランダ
ム・アクセス操作から独立し、かつそれとは非同期する
ようにして行なう。直列入力の可能性も同様に、ランダ
ム・アクセス・アレイの選択された行に直列レジスタの
内容をシフトできる別のタイプの転送周期を有する様な
装置において提供することができる。
In each of these conventional multiport memories, data is shifted from some or all memory cells in a row of a random access array into a register during a special transfer period. Serial output is then achieved from the registers, but in a manner that is independent of and asynchronous to the random access operations of the data in the array. Serial input possibilities can likewise be provided in such devices with other types of transfer cycles that can shift the contents of serial registers to selected rows of a random access array.

【0006】これらの従来のマルチポート・メモリの直
列「側」は様々な構造に従って構成されてきた。例えば
、前記米国特許第4,639,890号に記載される装
置はシフト・レジスタを直列側のレジスタとして有し、
シフト・レジスタに含まれるタップからのシフト・レジ
スタ中の選択されたセルから直列出力が開始する。 各直列クロック・パルスによりタップしたシフト・レジ
スタ・セルから生じる出力でデータをシフト・レジスタ
に沿って転送し、データの直列ストリームを提供する。 もちろん直列入力は、入力データをタップ・ポイントに
提供して、シフト・レジスタに沿って入力データ・スト
リームをシフトすることにより達成することができる。 しかし、もしセルよりも少ないタップ・ポイントがこの
装置のシフト・レジスタに提供された場合、直列出力(
及び入力)の起点の融通性が危うくされる。
The serial "sides" of these conventional multiport memories have been configured according to a variety of structures. For example, the device described in U.S. Pat. No. 4,639,890 has a shift register as a serial side register;
Serial output begins from a selected cell in the shift register from a tap contained in the shift register. Each serial clock pulse transfers data along the shift register with the output resulting from the tapped shift register cell providing a serial stream of data. Of course, serial input can be accomplished by providing input data to tap points and shifting the input data stream along a shift register. However, if fewer tap points than cells are provided to the shift register of this device, then the serial output (
and input) is compromised.

【0007】直列入力/出力の起点の一層大きな融通性
は、非シフト型レジスタが直列的に出力されるデータを
含む、前記米国特許第4,636,986号に記載した
装置により提供される。この配列では、カウンタは直列
出力がそこから発生するアドレスを記憶し、デコーダは
カウンタに応答して作動して、例えば、連続出力がそこ
から発生するレジスタ・セルの一つを選択する。直列デ
ータ・ストリームを提供するために、直列クロック信号
の各パルスによりカウンタがその記憶した値を増加する
ことになり、それに応じてデコーダが次のレジスタ・セ
ルを連続して可能にする。直列入力も同様に、直列クロ
ックにより直列入力ビットを受けるレジスタ・セルの位
置を増加して達成される。
Greater flexibility in serial input/output origins is provided by the apparatus described in the aforementioned US Pat. No. 4,636,986, in which non-shifting registers contain serially output data. In this arrangement, the counter stores the address from which the serial outputs originate, and the decoder operates in response to the counter, for example, to select one of the register cells from which the serial outputs originate. To provide a serial data stream, each pulse of the serial clock signal causes the counter to increment its stored value and the decoder to successively enable the next register cell accordingly. Serial input is similarly accomplished by increasing the number of register cells that receive serial input bits with a serial clock.

【0008】カウンタ/デコーダ構造の使用により直列
入出力の起点に関して融通性が増加するが、直列レジス
タ・ビットを選択し、かつその選択を更新するのに必要
なカウンタ及びデコーダ回路は組込み遅延を含む。例え
ば、直列レジスタの位置を増加するために、カウンタは
直列クロック・パルスに応答してその内容を増加しなけ
ればならず、またデコーダは次の直列レジスタ・セルが
選択される前にカウンタの出力を再びデコードしなけれ
ばならない。この様な遅延は、設計及び製造技術により
縮小することができ、この特殊構造に内在する。
Although the use of counter/decoder structures provides increased flexibility regarding the origin of serial inputs and outputs, the counter and decoder circuits required to select and update the selection of serial register bits have built-in delays. include. For example, to increment the position of a serial register, the counter must increment its contents in response to a serial clock pulse, and the decoder must read the output of the counter before the next serial register cell is selected. must be decoded again. Such delays can be reduced through design and manufacturing techniques and are inherent in this particular structure.

【0009】従って、本発明の目的は、デュアルポート
・メモリからの直列出力の速度を改良するために、その
直列側用のパイプライン構造を提供することである。
It is therefore an object of the present invention to provide a pipeline structure for the serial side of a dual-port memory to improve the speed of serial output from the memory.

【0010】更に本発明の目的は、パイプラインが直列
入力のために無効にされるようなパイプラインを提供し
て、直列入力データを直列レジスタ内の適切な位置に記
憶させることである。
It is a further object of the invention to provide a pipeline in which the pipeline is disabled for serial input so that the serial input data is stored in the appropriate location in the serial register.

【0011】更に本発明の目的は、直列レジスタの他の
位置を選択中に出力用のパイプラインを無効にすること
である。
It is a further object of the invention to disable the pipeline for output while selecting other locations of the serial register.

【0012】本発明の他の目的及び利点は、添付の図面
に沿って次の説明を参考にすることにより当業者にとっ
て明らかになるであろう。
Other objects and advantages of the invention will become apparent to those skilled in the art upon reference to the following description, taken in conjunction with the accompanying drawings.

【0013】[0013]

【問題点を解決するための手段及び作用】本発明は、メ
モリ・アレイへのランダム・アクセスから独立し、かつ
それとは非同期するデータの直列出力用の直列レジスタ
を有するデュアルポート・ランダム・アクセス・メモリ
に組み入れてもよい。カウンタ及びデコーダにより、直
列出力がそこから生じることになるレジスタ・セルのグ
ループを選択し、そのグループのデータのビットをラッ
チしてマルチプレクサに加える。このカウンタはその内
容を直列クロック信号の各周期に応答して増加する。カ
ウンタの最下位の1ビット或いは複数ビットをデコード
し、1グループのビットのうちの1ビットを選択して直
列出力端末に加え、各直列ビットごとにカウンタの全内
容がデコードされるのを防ぐ。直列出力のためには、カ
ウンタのより上位のビットを初期に更新し、従って、デ
コーダは、前グループの最後のビットを出力している間
に、出力するべき次グループのビットを選択する。直列
入力モードでは、カウンタのより上位のビットは、直列
出力に用いた初期の更新によってよりもむしろ標準的に
増加でき、従って直列レジスタにより受け取られる直列
入力データは好ましいレジスタの位置に記憶される。パ
イプラインは同様に新しい直列レジスタ・アドレスを選
択するときには破壊してもよく、従って初期の出力はカ
ウンタの初期の増加に妨害されない。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a dual-port random access system having a serial register for serial output of data independent of and asynchronous to random access to a memory array. May be stored in memory. A counter and decoder selects the group of register cells from which the serial output will originate and latches the bits of data for that group into the multiplexer. This counter increments its contents in response to each period of the serial clock signal. The least significant bit or bits of the counter are decoded and one bit of a group of bits is selected and applied to the serial output terminal, preventing the entire contents of the counter from being decoded for each serial bit. For serial output, the more significant bits of the counter are updated initially, so the decoder selects the next group of bits to output while outputting the last bit of the previous group. In serial input mode, the more significant bits of the counter can be incremented normally, rather than by the initial update used for the serial output, so that serial input data received by the serial register is stored in the preferred register location. The pipeline may also be destroyed when selecting a new serial register address, so the initial output is not disturbed by the initial increment of the counter.

【0014】[0014]

【実施例】さて図1を説明するが、同図は本発明に従っ
て構成するデュアル・ポート・メモリ1の機能ブロック
図である。ここに参考として本願に組み込まれる前記米
国特許第4,636,986号のメモリと同様に、デュ
アル・ポート・メモリ1は、線A0乃至A8上のアドレ
ス信号、クロック信号RAS_,CAS_,及びSCL
K、書込み可能信号WE_、転送可能信号TR_、及び
直列出力可能信号SOE_とを受信する。書込みマスク
機構がデュアル・ポート・メモリ1に含まれるので、単
一の列アドレス・ストローブCAS_のみをデュアル・
ポート・メモリ1が受信し使用するということに注意さ
れたい。デュアル・ポート・メモリ1は、前記米国特許
第4,636,986号のメモリの入力/出力端末のよ
うな4本よりもむしろ8本のランダム・アクセス入力/
出力線D0乃至D7を有し、ここに説明する本発明はも
ちろん、デュアル・ポート・メモリの構造や他の構造の
どれにも適用できる。ゆえに、デュアル・ポート・メモ
リ1は8個のアレイ2を含み、その各々は本実施例では
512行、256列に組織した128キロビットの記憶
装置を含む。各アレイ2とはセンス増幅器バンク4が関
連しており、それはアレイ2のダイナミック・メモリ・
セルからのデータとそれへのデータとの検出、再記憶、
及び書き込みの技術でよく知られているような256の
センス増幅器を含む。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring now to FIG. 1, this figure is a functional block diagram of a dual port memory 1 constructed according to the present invention. Similar to the memory of the aforementioned U.S. Pat. No. 4,636,986, which is incorporated herein by reference, the dual port memory 1 includes address signals on lines A0 through A8, clock signals RAS_, CAS_, and SCL.
K, a write enable signal WE_, a transfer enable signal TR_, and a serial output enable signal SOE_. A write mask mechanism is included in dual-port memory 1 so that only a single column address strobe CAS_
Note that port memory 1 receives and uses. Dual port memory 1 has eight random access input/output terminals rather than four like the input/output terminals of the memory of said US Pat. No. 4,636,986.
It has output lines D0 to D7, and the invention described herein is of course applicable to any dual port memory structure or other structure. Thus, dual port memory 1 includes eight arrays 2, each of which contains 128 kilobits of storage, organized in this example into 512 rows and 256 columns. Associated with each array 2 is a sense amplifier bank 4, which provides array 2's dynamic memory
Detection, re-storing of data from and into cells;
and 256 sense amplifiers as is well known in the writing art.

【0015】ランダム・アクセス側では、RAM論理1
6により、前記米国特許第4,636,986号のメモ
リで実行したようなアドレス・ラッチ及びアドレス・デ
コードを実行するので、行アドレス・ストローブ信号R
AS_と列アドレス・ストローブ信号CAS_の夫々と
アドレス線A0乃至A8が受信される。アドレス線A0
乃至A8上に現われる行アドレス値を行アドレス・スト
ローブ信号RAS_によりラッチし、線19を介してX
デコーダ18に伝達し、従って、線19上のラッチされ
た行アドレス値に応答してXデコーダ18により各アレ
イ2の1行ずつを選択することができる。同様に、(線
A8上の列アドレス信号は256列のうちの1列を選択
するのには不要なので)、アドレス線A0乃至A7上に
現われる列アドレス値を列アドレス・ストローブ信号C
AS_に応答してRAM論理16によりラッチし、ラッ
チされた列アドレス値は、線21によりRAM論理16
からYデコーダ20に伝達されるが、8個のアレイ2の
それぞれにはそれらと関連してYデコーダ20がある。 従って、各Yデコーダ20は、ラッチされた列アドレス
値と対応する、関連するアレイ2内の好ましいビット線
をその関連する入力/出力バッファ24に接続するべく
動作する。
On the random access side, RAM logic 1
6 performs address latching and address decoding as was performed in the memory of the aforementioned U.S. Pat. No. 4,636,986, so that the row address strobe signal R
AS_ and column address strobe signal CAS_, respectively, and address lines A0 through A8 are received. Address line A0
The row address value appearing on A8 to A8 is latched by the row address strobe signal RAS_ and
A row of each array 2 can be selected by the X-decoder 18 in response to the latched row address value on line 19. Similarly, the column address values appearing on address lines A0-A7 are transferred to the column address strobe signal C (since the column address signal on line A8 is not needed to select one of the 256 columns).
latched by RAM logic 16 in response to AS_, and the latched column address value is transferred to RAM logic 16 by line 21.
to a Y-decoder 20, each of the eight arrays 2 having a Y-decoder 20 associated with them. Accordingly, each Y-decoder 20 operates to connect the preferred bit line in the associated array 2 corresponding to the latched column address value to its associated input/output buffer 24.

【0016】前記米国特許第4,636,986号に記
載した機能に加え、デュアル・ポート・メモリ1は、ラ
ンダム・アクセス・データ入力機能の追加の制御、特殊
機能論理30により実行されるような追加の制御を有す
る。8個の入力/出力バッファ24の各々はマルチプレ
クサ26を通してデータ端末D0乃至D7に接続されて
いる。ランダム・アクセス読出しのために、入力/出力
バッファ24の出力は出力駆動回路31によって受け取
り、それにより、線D0乃至D7の端末に伝達される。 出力駆動回路31は多くの周知形状のうちの一つで構成
され、RAM論理16の制御のもとで、線TR_上の外
部信号により作動可能にされる。もちろん、ランダム・
アクセス書込みのためには、出力駆動回路31はRAM
論理16により無効にされて、データの対立を防ぐ。
In addition to the functions described in the aforementioned US Pat. No. 4,636,986, dual port memory 1 provides additional control of random access data entry functions, such as performed by special function logic 30. Has additional controls. Each of the eight input/output buffers 24 is connected through a multiplexer 26 to data terminals D0 through D7. For random access reading, the output of input/output buffer 24 is received by output drive circuit 31 and thereby transmitted to the terminals of lines D0-D7. Output drive circuit 31 is constructed in one of a number of well-known configurations and is enabled by an external signal on line TR_ under control of RAM logic 16. Of course, random
For access writing, the output drive circuit 31
Overridden by logic 16 to prevent data conflicts.

【0017】書込み周期中、特殊機能論理30からの線
WTCLRによりマルチプレクサ26を制御し、データ
端末D0乃至D7に現われるデータ値か、或いは、線2
7を介しての入力/出力バッファ24機能論理30内の
カラー・レジスタ50の内容のどちらかを、ユーザが選
択する機能によって、選択する。特殊機能論理30はま
た、前記米国特許第4,636,986号に対して上述
したのと同様な書込みマスク機構を制御するべく作動可
能でもあるが、しかし、特殊機能論理30は書込みマス
ク・レジスタ54に書込みマスクの値を記憶するべく作
動可能であるので、書込みマスク値は複数周期の間に作
動可能であり、また書込みマスク値が最初にロードされ
た後、そしてマスクしていないランダム・アクセス書込
みの周期後に、何周期もリコールすることができる。書
込みマスク・レジスタ54の内容或いはマスクしていな
い書込み信号の内容は、好ましいように、特殊機能論理
30により、前記出願通し番号第053,200号に記
載したように、線WCLKを通して入力/出力バッファ
24に加える。
During a write cycle, line WTCLR from special function logic 30 controls multiplexer 26 so that the data values appearing at data terminals D0 through D7 or line 2
The input/output buffer 24 via 7 selects either the contents of the color register 50 in the functional logic 30, depending on the user selected function. Special function logic 30 is also operable to control a write mask mechanism similar to that described above for the aforementioned U.S. Pat. 54, so that the write mask value is operable for multiple periods and after the write mask value is initially loaded and for unmasked random accesses. After a write cycle, any number of cycles can be recalled. The contents of write mask register 54, or the contents of the unmasked write signal, are preferably transferred by special function logic 30 to input/output buffer 24 via line WCLK, as described in the aforementioned Serial No. 053,200 application. Add to.

【0018】デュアル・ポート・メモリ1の直列側を説
明するが、転送ゲート6は、前記米国特許第4,636
,986号のデュアル・ポート・メモリにおいてと同様
に、アレイ2のビット線の各々に接続されており、アレ
イ2からのデータをデータ・レジスタ8に転送したり、
或いはその逆を行なう。本例では、データ・レジスタ8
は256ビットのレジスタであるので、データの256
ビットが転送ゲート6の各バンクごとに転送され、すな
わち各転送周期にデータの2048ビットが転送される
。直列論理14は、線SCLK上の直列クロック信号、
線SOE_上の直列可能信号、及び線TR_上の転送信
号とをRAM論理16からの信号と同様受信し、従って
前記米国特許第4,636,986号のメモリにおいて
の様に、データ転送を適切な時間に実行することができ
る。
Referring to the serial side of dual port memory 1, transfer gate 6 is similar to that described in US Pat. No. 4,636.
, 986, is connected to each of the bit lines of array 2 to transfer data from array 2 to data register 8,
Or do the opposite. In this example, data register 8
is a 256-bit register, so 256 bits of data
Bits are transferred for each bank of transfer gates 6, ie 2048 bits of data are transferred in each transfer period. Serial logic 14 includes a serial clock signal on line SCLK,
The serial enable signal on line SOE_ and the transfer signal on line TR_ are received as well as the signals from the RAM logic 16, thus ensuring proper data transfer as in the memory of said U.S. Pat. No. 4,636,986. can be executed at any time.

【0019】以下により詳細に説明するように、プレデ
コーダも同様に含むことができるカウンタ22により、
そこへの直列入力/そこからの直接出力が開始されるこ
とになる各データ・レジスタ8中の1ビットを選択する
。従って、カウンタ22は線21上のRAM論理16か
らのラッチされた列アドレス信号を受信し、前記米国特
許第4,636,986号のメモリについては、その信
号は直列入力或いは直列出力が開始することになる直列
の位置を選択する。直列論理14によりカウンタ22を
制御して、ラッチされた列アドレス値を転送周期中にロ
ードし、また、線SCLK上のクロック信号の各周期ご
とに信号をカウンタ22に提供して、カウンタ22に記
憶された値が各直列周期ごとに増加するようにする。 本実施例では、カウンタ22はさらにそこに記憶した値
を部分的にデコードするプレデコーダを含む。各データ
・レジスタ8と関連するような各直列デコーダ(或いは
ポインタ)10は、カウンタ22の部分的にデコードさ
れた内容を受け取る。データ・レジスタ8の内容は、前
記米国特許第4,636,986号のメモリにおいての
ように各直列周期ごとにその中でシフトされず、代わり
に直列デコーダ10がその中の1ビットを示して、カウ
ンタ22の内容を増加する線SCLK上のクロック信号
の各周期ごとにそのビットの位置が増加することになる
。直列デコーダ10の関連する一つにより示されている
各データ・レジスタ8のビットの内容は、入力及び出力
のために、直列入力/出力バッファ12の関連する一つ
に接続され、前記直列入力/出力バッファの一つは、8
個のアレイ2及びデータ・レジスタ8の各々と関連して
いる。直列入力/出力バッファ12により、関連する直
列入力/出力端末SD0乃至SD7と直列デコーダ10
により示されている関連するデータ・レジスタ8のビッ
トとの間にデータを伝える。
As will be explained in more detail below, the counter 22, which may also include a pre-decoder,
Select one bit in each data register 8 to which serial input/direct output is to be initiated. Thus, counter 22 receives a latched column address signal from RAM logic 16 on line 21, and for the memory of the '986 patent, that signal is either serial input or serial output starting. Select the position in series that will be the same. Serial logic 14 controls counter 22 to load the latched column address value during the transfer period and provides a signal to counter 22 for each period of the clock signal on line SCLK to load the latched column address value to counter 22. Allow the stored value to increase with each series cycle. In this embodiment, counter 22 further includes a predecoder that partially decodes the values stored therein. Each serial decoder (or pointer) 10, as associated with each data register 8, receives the partially decoded contents of counter 22. The contents of data register 8 are not shifted therein each serial period as in the memory of said U.S. Pat. No. 4,636,986, but instead serial decoder 10 indicates one bit therein. , the position of that bit will increase with each period of the clock signal on line SCLK that increments the contents of counter 22. The contents of the bits of each data register 8 indicated by an associated one of the serial decoders 10 are connected for input and output to an associated one of the serial input/output buffers 12 and connected to said serial input/output buffers 12 for input and output. One of the output buffers is 8
associated with each of the arrays 2 and data registers 8. A serial input/output buffer 12 connects the associated serial input/output terminals SD0 to SD7 and the serial decoder 10.
The bits of the associated data register 8 indicated by .

【0020】端末SOE_は、直列入力/出力端末SD
0乃至SD7を直列入力モード或いは直列出力モードに
置くために、メモリ周期の様々な段階中に信号を受ける
。図1の装置では、メモリからレジスタへの転送周期の
実行により自動的に直列側を直列出力モードに置く。 直列出力モードにおいて線SOE_上の高論理レベルが
直列出力を無効にし、線SOE_上の低論理レベルが直
列出力を可能にするので、端末SOE_により受けた信
号は周知の技術の方法で出力可能制御に用いられる。
Terminal SOE_ is a serial input/output terminal SD
Signals are received during various stages of the memory cycle to place SD0 through SD7 into serial input mode or serial output mode. In the device of FIG. 1, execution of a memory-to-register transfer cycle automatically places the serial side in serial output mode. Since in the serial output mode a high logic level on the line SOE_ disables the serial output and a low logic level on the line SOE_ enables the serial output, the signal received by the terminal SOE_ is output enable controlled in a manner well known in the art. used for.

【0021】デュアル・ポート・メモリ1の直列側を直
列読出しモードから直列書込みモードに切り替えるため
に、擬転送周期を実行する。端末RAS_,WE_,T
R_,及びSOE_で提供された信号を用いて、転送動
作を実行するのと同様、この周期を実行し、セット・ア
ップする。第1表を参照して、RAS_の高から低への
移行時のこれらの信号の真理値表を、両方向の転送の実
行と、直列入力モードをセット・アップする擬転送周期
とに関して説明する。
In order to switch the serial side of the dual port memory 1 from serial read mode to serial write mode, a pseudo transfer cycle is performed. Terminal RAS_, WE_, T
The signals provided on R_, and SOE_ are used to perform and set up this cycle as well as to perform a transfer operation. Referring to Table 1, the truth table of these signals during the high-to-low transition of RAS_ is illustrated with respect to performing transfers in both directions and the pseudo-transfer period that sets up the serial input mode.

【0022】[0022]

【表1】   ───────────────────────
───────────              
                  第1表    
  TR_      WE_      SOE_ 
             周期      −−− 
     −−−      −−−−    −−−
−−−−−−−−−−−        0     
     0          0        
レジスタからメモリへの転送        0   
       0          1      
  セット・アップ直列入力モード        0
          1          X   
     メモリからレジスタへの転送;      
                         
           セット・アップ直列出力モード
  ───────────────────────
───────────RAS_移行時の線A0乃至A
8上の行アドレス信号の値を用いて、そこから或いはそ
こへのレジスタ転送が発生することになる行を選択する
ということに注意されたい。直列入力モードをセット・
アップする擬転送周期において、アドレスした行のメモ
リ・セルをリフレッシュする。一度直列入力モードにお
いて、端末SOE_の高論理状態により端末SD0乃至
SD7での直列入力を無効にし、また端末SOE_の低
論理状態によりそこでの直列入力を可能にする。従って
、直列入力モードでは、SOE_は入力可能機能を実行
する。
[Table 1] ────────────────────────
────────────
Table 1
TR_WE_SOE_
Period ---
−−− −−−− −−−
−−−−−−−−−−− 0
0 0
Transfer from register to memory 0
0 1
Setup serial input mode 0
1 X
Transfer from memory to register;

Setup serial output mode ────────────────────────
────────────RAS_Transition line A0 to A
Note that the value of the row address signal on 8 is used to select the row from or to which the register transfer will occur. Set serial input mode
In the rising pseudo-transfer period, the memory cells of the addressed row are refreshed. Once in serial input mode, a high logic state of terminal SOE_ disables serial input at terminals SD0 to SD7, and a low logic state of terminal SOE_ enables serial input there. Therefore, in serial input mode, SOE_ performs an input enable function.

【0023】さて、図2を参照して、本発明の第一の好
ましい実施例によるカウンタ22と直列デコーダ10の
構成及び動作をデータ・レジスタ8と関連して以下によ
り詳細に説明する。直列デコーダ10及びデータ・レジ
スタ8に関しては、直列入力/出力端子SD0乃至SD
7のうちの一つと関連するものとして次の説明をするが
、もちろんこの様な回路は他の直列入力/出力端子SD
0乃至SD7のそれぞれにも繰り返されるということを
理解されたい。
Referring now to FIG. 2, the construction and operation of counter 22 and serial decoder 10 in accordance with a first preferred embodiment of the invention will now be described in more detail in conjunction with data register 8. Regarding the serial decoder 10 and data register 8, the serial input/output terminals SD0 to SD
The following explanation is related to one of the series input/output terminals SD.
It should be understood that it is also repeated for each of 0 through SD7.

【0024】カウンタ22はリプル・カウンタであり、
出力されることになる(或いは入力データが記憶される
ことになる)データ・レジスタ8の256ビットのうち
の1ビットのアドレス値を記憶するための8個のあらか
じめセット可能なT形ラッチ100n を含む。ラッチ
100n のそれぞれには、なるべくなら真及び補数の
T(トグル)入力及び真及び補数のQ出力がともにある
のがよい。各ラッチ100n は、線LDEN上のロー
ド可能信号と関連してRAM論理16からの信号線PS
0乃至PS7によりあらかじめセットして、直列入力/
出力用のデータ・レジスタ8の最初の位置をそこにロー
ドすることができるようにしてもよい。前述したように
、この最初の値は転送周期中に線A0乃至A8上の列ア
ドレス信号により選択する。あらかじめセットした後は
、線LDENは非活動状態に戻り、ラッチ100n は
線PS0乃至PS7の論理状態に応答できなくなる。
Counter 22 is a ripple counter,
eight presettable T-shaped latches 100n for storing the address value of one bit out of the 256 bits of data register 8 that is to be output (or in which input data is to be stored); include. Each of the latches 100n preferably has both true and complement T (toggle) inputs and true and complement Q outputs. Each latch 100n receives a signal line PS from RAM logic 16 in conjunction with a load enable signal on line LDEN.
Set in advance from 0 to PS7, and use serial input/
It may be possible to load the first position of the data register 8 for output into it. As previously discussed, this initial value is selected by the column address signals on lines A0-A8 during the transfer period. After presetting, line LDEN returns to the inactive state and latch 100n is no longer responsive to logic states on lines PS0-PS7.

【0025】ラッチ100n は、そこに記憶された内
容がそのT入力での低から高への移行(すなわちそのT
_入力での高から低への移行)を受けてトグルするT形
のものである。ラッチ1000 は、カウンタ22の最
下位ビットを記憶し、端末SCLKで受信した直列クロ
ック信号に応答してその内容をトグルする。ラッチ10
01 、及びラッチ1003 乃至1007 は、T_
入力のところで前のラッチからのQ出力を受け取り、従
って、ラッチ1000 、及びラッチ1002 乃至1
006 のうちのひとつの内容が1から0に変わると、
キャリを有効にするためにラッチ100n の次の最上
位のものの内容がトグルされ、それによりカウンタ22
に記憶した値が正しく増加する。ラッチ1001 のQ
及びQ_出力とラッチ1002 のT及びT_入力の間
にはマルチプレクサ102が接続されており、このマル
チプレクサ102によりラッチ1002 へのラッチ1
001 の出力かまたはラッチ1002 へのNAND
ゲート104の出力のどちらかを選択する。マルチプレ
クサ102は直列論理14からの信号SIにより制御さ
れるが、前述の第1表に従って選択したように、この信
号SIはデュアル・ポート・メモリ1の直列側が直列入
力モードにあるのか直列出力モードにあるのかを示す。 次により詳細に説明するように、直列出力モードでは、
直列出力データ・パイプラインを充満したままにするた
めに、NANDゲート104の真及び補数の出力をラッ
チ1002 のT及びT_入力に接続して、ラッチ10
01 からラッチ1002 へのキャリを予期する。直
列入力モードでは、ラッチ1001 の真及び補数の出
力を、カウンタ22の他のラッチ100n の相互接続
と同様に、ラッチ1002 のT及びT_入力に接続す
る。
Latch 100n is such that the content stored therein is determined by a low-to-high transition at its T input (ie, at its T input).
It is T-shaped and toggles in response to a high-to-low transition on the input. Latch 1000 stores the least significant bit of counter 22 and toggles its contents in response to a serial clock signal received at terminal SCLK. latch 10
01 and latches 1003 to 1007 are T_
It receives the Q output from the previous latch at its input, thus latch 1000 and latches 1002 to 1.
When the content of one of 006 changes from 1 to 0,
The contents of the next top of latches 100n are toggled to enable the carry, thereby causing counter 22
The value stored in is increased correctly. Q of latch 1001
A multiplexer 102 is connected between the T and T_inputs of the latch 1002 and the T and T_inputs of the latch 1002.
001 output or NAND to latch 1002
Select one of the outputs of gate 104. Multiplexer 102 is controlled by a signal SI from serial logic 14, which signal SI determines whether the serial side of dual port memory 1 is in serial input mode or serial output mode, as selected according to Table 1 above. Show if there is. In series output mode, as explained in more detail below,
To keep the serial output data pipeline full, the true and complement outputs of NAND gate 104 are connected to the T and T inputs of latch 1002 to
Expect a carry from 01 to latch 1002. In serial input mode, the true and complement outputs of latch 1001 are connected to the T and T_inputs of latch 1002, as well as the interconnections of the other latch 100n of counter 22.

【0026】記憶されたアドレス値の最下位の2ビット
は、ラッチ1000及び1001 に記憶されるが、カ
ウンタ22内でLSBデコーダ110によりデコードさ
れ、4本の線PMX0乃至PMX3のうちの1本がラッ
チ1000 及び1001 に記憶された値に応答して
高論理レベルに駆動される。例えば、線PMX0は値0
0を記憶するラッチ1000 及び1001 に応答し
てLSBデコーダ100により高に駆動され、線PMX
1はそこに記憶された値01に応答して高に駆動される
など、その他も同様である。従って、線PMX0乃至P
MX3上で駆動された高論理レベルは1レベルのみが活
動状態になって他のレベルは除外されるので、時間が重
複しない。線PMX0乃至PMX3によりマルチプレク
サ124を制御して、デュアル・ポート・メモリ1内の
各データ・レジスタ8ごとに、次に説明するプレデコー
ダ108及び直列デコーダ12により選択したデータ・
レジスタ8の4ビットのうちの1ビットを選択する。
The two least significant bits of the stored address value, stored in latches 1000 and 1001, are decoded in counter 22 by LSB decoder 110, and one of the four lines PMX0 to PMX3 is Driven to a high logic level in response to the values stored in latches 1000 and 1001. For example, the line PMX0 has the value 0
Driven high by LSB decoder 100 in response to latches 1000 and 1001 storing a zero, line PMX
1 is driven high in response to the value 01 stored therein, and so on. Therefore, lines PMX0 to P
The high logic levels driven on MX3 do not overlap in time because only one level is active and the other levels are excluded. Lines PMX0 to PMX3 control the multiplexer 124 to input the data selected by the predecoder 108 and serial decoder 12, which will be described next, for each data register 8 in the dual port memory 1.
Select 1 bit out of 4 bits of register 8.

【0027】線PMX3は、ラッチ1000 及び10
01 が値11を含むときだけ高論理レベルを運び、N
ANDゲート104の第一入力に接続されている。NA
NDゲート104の第二入力は線LDENの論理補数を
(インバータ111を介して)受け取るが、線LDEN
により高論理状態のときに線PS0乃至PS7からラッ
チ100n への新しい値のローディングを可能にする
。いったん新しい値がロードされ、直列出力或いは入力
が開始すると、線LDENは低論理レベルになり、それ
により、線PMX3の論理状態はNANDゲート104
の出力を制御することができる。NANDゲート104
の出力は、(インバータ105により反転される)真及
び補数の両方ともマルチプレクサ102に与えられる。 直列出力モードにおいて、マルチプレクサ102は、N
ANDゲート104の出力を(反転せずに)ラッチ10
02 の入力Tに接続し、インバータ105の出力はラ
ッチ1002 の入力T_に接続する。従って、直列出
力モードでは、ラッチ1002 は、ラッチ1000 
及び1001 の内容が値11から値00に増加したと
き(ラッチ1001 のQ及びQ_出力がラッチ100
2 のT_及びT入力に接続された場合)よりもむしろ
、ラッチ1000 及び1001 の内容が値11まで
増加したときにトグルする。
Line PMX3 connects latches 1000 and 10
01 carries a high logic level only when it contains the value 11, and N
It is connected to the first input of AND gate 104. NA
A second input of ND gate 104 receives the logical complement of line LDEN (via inverter 111);
allows loading of new values from lines PS0 to PS7 into latch 100n when in a high logic state. Once a new value is loaded and the serial output or input begins, line LDEN goes to a low logic level, thereby changing the logic state of line PMX3 to NAND gate 104.
output can be controlled. NAND gate 104
The outputs of both true and complement (inverted by inverter 105) are provided to multiplexer 102. In series output mode, multiplexer 102 has N
Latch 10 (without inverting) the output of AND gate 104
The output of the inverter 105 is connected to the input T_ of the latch 1002. Therefore, in series output mode, latch 1002
and 1001 increases from the value 11 to the value 00 (the Q and Q outputs of latch 1001
2), it toggles when the contents of latches 1000 and 1001 increase to the value 11.

【0028】カウンタ22の内容の6個の最上位ビット
はラッチ1002 乃至1007 に記憶され、カウン
タ22内に含まれるプレデコーダ108によりデコード
される。カウンタ22に記憶されたアドレスはデュアル
・ポート・メモリ1内の8個のデータ・レジスタ8のそ
れぞに加えられるので、メモリ内の8か所で同一の値を
完全にデコードするよりはむしろ、カウンタ22内でこ
のアドレスの部分デコードを少なくとも実行するのに有
効である。もちろんプレデコーダ108からの出力の数
はカウンタ22内でプレデコードされるのに望ましい数
ごとに変わり、例えば、プレデコーダ108はその出力
のところでラッチ1004 乃至1007 の出力の4
から16へのデコードを提供することができ、ラッチ1
002 及び1003 の出力状態がプレデコーダ10
8を通過する。こうして、データ・レジスタ8のそれぞ
れと関連する直列デコーダ10は、プレデコーダ108
からの出力に応答してその関連するデータ・レジスタ8
の256箇所のうちの4箇所を選択するべく作動可能で
ある。必要ならば、周知技術のように中間の出力バッフ
ァを提供して、データ・レジスタ8の選択した4箇所の
中からバッファ・データを提供してもよい。この様な中
間の出力バッファは、平明にするために図2には特に示
さない。
The six most significant bits of the contents of counter 22 are stored in latches 1002 - 1007 and decoded by predecoder 108 contained within counter 22 . The address stored in counter 22 is added to each of the eight data registers 8 in dual port memory 1, so that rather than completely decoding the same value at eight locations in memory, It is useful to perform at least a partial decoding of this address within the counter 22. Of course, the number of outputs from predecoder 108 varies depending on the number desired to be predecoded in counter 22; for example, predecoder 108 has at its output four of the outputs of latches 1004-1007.
can provide decoding from latch 1 to 16
The output states of 002 and 1003 are the predecoder 10
Pass 8. Thus, the serial decoder 10 associated with each of the data registers 8 is a pre-decoder 108.
in response to the output from its associated data register 8.
is operable to select 4 of the 256 locations. If desired, an intermediate output buffer may be provided to provide buffered data from among four selected locations in data register 8, as is well known in the art. Such intermediate output buffers are not specifically shown in FIG. 2 for the sake of clarity.

【0029】直列出力の場合、直列デコーダ10により
選択したデータ・レジスタ8の4箇所の内容は、パス・
トランジスタ114及びパス・トランジスタ116によ
り4ビットのラッチ112に接続される。平明にするた
めに1個のパス・トランジスタ114及び116のみを
図2に示すが、パス・トランジスタ116と平行なパス
・トランジスタ114はもちろん、データ・レジスタ8
及びラッチ112の間の4本のデータ線のそれぞれごと
に提供される。必要ならば、両方向のトリステート・バ
ッファももちろんパス・トランジスタ114及び116
の代わりに用いてもよい。パス・トランジスタ114の
ゲートはORゲート113の出力により制御されるが、
そのORゲートの入力のところには線SI及びLDEN
がある。従って、直列出力モードの間(線SIは低く)
、線LDEN上の低論理レベルによりトランジスタ11
4は非導通にされる。新しい値がラッチ100n にロ
ードされている時間以外は、次に更に詳しく説明するよ
うに、線LDENはこの様な低状態にあり、パス・トラ
ンジスタ116は直列出力中にデータ・トランジスタ8
とラッチ112との間のデータの通信を制御することが
できる。パス・トランジスタ116のゲートはRSラッ
チ118のQ出力により制御されるが、RSラッチ11
8のセット入力は線PMX0により制御される。ラッチ
118へのリセット入力はORゲート120の出力によ
り制御され、ORゲート120の第二の入力はANDゲ
ート122の出力に接続されている。ANDゲート12
2の入力は線PMX3及びLDENに接続されている。 直列入力の間は、線SIの高状態により、ラッチ118
の状態にかかわらず、パス・トランジスタ114がラッ
チ112とデータ・レジスタ8との間のデータを通信さ
せることになる。
In the case of serial output, the contents of the four data registers 8 selected by the serial decoder 10 are
It is connected to the 4-bit latch 112 by transistor 114 and pass transistor 116. Although only one pass transistor 114 and 116 is shown in FIG. 2 for clarity, pass transistor 114 parallel to pass transistor 116 as well as data register 8
and for each of the four data lines between latch 112. Bidirectional tristate buffers are of course also included in the pass transistors 114 and 116 if desired.
May be used instead of. The gate of pass transistor 114 is controlled by the output of OR gate 113;
At the input of that OR gate are the lines SI and LDEN.
There is. Therefore, during series output mode (line SI is low)
, a low logic level on line LDEN causes transistor 11 to
4 is made non-conductive. Except for times when a new value is being loaded into latch 100n, line LDEN is in such a low state and pass transistor 116 is connected to data transistor 8 during the series output, as will be explained in more detail below.
The communication of data between the latch 112 and the latch 112 can be controlled. The gate of pass transistor 116 is controlled by the Q output of RS latch 118;
The set input of 8 is controlled by line PMX0. The reset input to latch 118 is controlled by the output of OR gate 120, whose second input is connected to the output of AND gate 122. AND gate 12
The inputs of 2 are connected to lines PMX3 and LDEN. During series input, the high state of line SI causes latch 118
Pass transistor 114 will communicate data between latch 112 and data register 8 regardless of the state of .

【0030】ラッチ112は4ビットのラッチで、(パ
ス・トランジスタ114かまたは116のどちらかを介
して)データ・レジスタ8と4−(ツゥー)1(4から
1への)マルチプレクサ124との間で通信されるべき
データを記憶する。マルチプレクサ124は線PMX0
乃至PMX3により制御され、それらの線はラッチ11
2の4ビットのうちどれが直列入力/出力端末SDn 
に出力されるか(或いはラッチ112の4ビットのうち
どれが直列入力/出力端末SDn からの入力データを
記憶するか)を示す。必要入力及び出力バッファは周知
技術で構成されており、マルチプレクサ124の出力と
直列入力/出力端末SDn との間に接続されている。
Latch 112 is a 4-bit latch that is connected (via either pass transistor 114 or 116) between data register 8 and 4-to-1 multiplexer 124. to store the data to be communicated. Multiplexer 124 connects line PMX0
to PMX3, and those lines are connected to latch 11.
Which of the 4 bits of 2 is the serial input/output terminal SDn?
(or which of the four bits of latch 112 stores the input data from serial input/output terminal SDn). The necessary input and output buffers are constructed in a well known manner and are connected between the output of multiplexer 124 and the serial input/output terminal SDn.

【0031】さて、図3を参照して、図2の回路の直列
出力モードの動作を説明する。この様な動作の第一の例
は、ラッチ1000 及び1001の内容が前のアドレ
スから値00に増加する最初の状態から始め、新しいア
ドレスがカウンタ22にロードされた場合の回路動作の
例を以下に説明する。従って、線LDENは本例ではず
っと低論理レベルであり、パス・トランジスタ114を
非導電性にし、かつANDゲート122の出力を低論理
レベルにする。更に、マルチプレクサ102への制御入
力のところの線SIは、ラッチ1002 のT及びT_
入力に接続されるべくNANDゲート104の出力を選
択することになる。ラッチ1000 及び1001 の
値00により、図3に示すように、LSBデコーダ11
0からの線PMX0上に高論理レベルを、またPMX1
、PMX2、及びPMX3上には低レベルを生じる。線
PMX0上の高レベルにより(図3の線Q118 で示
すように)RAラッチ118をセットし、データ・レジ
スタ8をラッチ112に接続して、ラッチ1002 乃
至1007 によりアドレスされた4箇所の内容をロー
ドする。線PMX0上の高論理レベルにより、マルチプ
レクサ124が、(図3ではBIT0で示される)直列
入力/出力端末SDn への出力用に、ラッチ112の
4個のビットのうちの対応する1個を選択することにな
る。
Now, with reference to FIG. 3, the operation of the circuit of FIG. 2 in the serial output mode will be described. A first example of such operation starts from an initial state in which the contents of latches 1000 and 1001 increase from the previous address to the value 00, and an example of the circuit operation when a new address is loaded into counter 22 is shown below. Explain. Therefore, line LDEN is at a much lower logic level in this example, rendering pass transistor 114 non-conducting and causing the output of AND gate 122 to be at a low logic level. Additionally, line SI at the control input to multiplexer 102 connects T and T_ of latch 1002 to
The output of NAND gate 104 will be selected to be connected to the input. The value 00 of latches 1000 and 1001 causes the LSB decoder 11 to
High logic level on line PMX0 from 0 and PMX1
, PMX2, and PMX3. A high level on line PMX0 sets RA latch 118 (as shown by line Q118 in FIG. 3), connects data register 8 to latch 112, and transfers the contents of the four locations addressed by latches 1002 through 1007. Load. A high logic level on line PMX0 causes multiplexer 124 to select the corresponding one of the four bits of latch 112 for output to serial input/output terminal SDn (designated BIT0 in FIG. 3). I will do it.

【0032】端末SCLKでの直列クロック信号の次の
低から高への移行を受けてラッチ1000 の状態が0
から1にトグルする。ラッチ1000 のQ_出力がラ
ッチ1001 のT入力に接続されているので、ラッチ
1001 のT入力は高から低への移行を経験し、ラッ
チ1001 がこの時にトグルしないようになる。ラッ
チ1000 の値の変化に応答して、LSBデコーダ1
10からの線PMX1は高レベルになり、そこからの線
PMX0は低に戻る。従って、マルチプレクサ124は
(BIT1で示される)ラッチ112に記憶された4個
のビットのうちの第2番目のものを直列入力/出力端末
SDn への出力用に選択する。
The state of latch 1000 is zero upon the next low-to-high transition of the serial clock signal at terminal SCLK.
Toggle from to 1. Since the Q output of latch 1000 is connected to the T input of latch 1001, the T input of latch 1001 will experience a high to low transition, preventing latch 1001 from toggling at this time. In response to a change in the value of latch 1000, LSB decoder 1
The line PMX1 from 10 goes high and the line PMX0 from there returns to low. Therefore, multiplexer 124 selects the second of the four bits stored in latch 112 (designated BIT1) for output to serial input/output terminal SDn.

【0033】端末SCLKでの直列クロック信号の次の
低から高への移行を受けて、ラッチ1000 及び10
01 の内容は値10になる。従って、LSBデコーダ
10は線PMX2を高レベルに駆動し、線PMX1をそ
の低状態に戻す。線PMX2上の低から高への移行によ
り、ORゲート120の出力において低から高への移行
を生じ、かつ(図3に示すように)RSラッチ118の
出力を低レベルにリセットする。ラッチ112の内容が
直列入力/出力端末SDn で出力される第3及び第4
番目のビットを含むので、データはラッチ112からの
データ・レジスタ8の分離により何も失われず、この分
離によって、ラッチ112の内容を分裂させずに新しい
組の4ビットをデータ・レジスタ8で選択することが可
能になる。ラッチ112に記憶された第3番目のビット
(すなわち図3のBIT2)が線PMX2に応答してマ
ルチプレクサ124によって出力用に選択される。端末
SCLKの直列クロック信号の次の周期によりラッチ1
000 及び1001 の内容が値11に増加されるこ
とになり、引き続いてLSBデコーダが線PMX3を主
張し、線PMX2を低に引き下げることになる。よって
、NANDゲート104の出力は高レベルから低レベル
になる。線SIがマルチプレクサ102を制御してラッ
チ1002 のT及びT_入力用のNANDゲート10
4の出力を選択するので、ラッチ1002 のT入力は
低から高への移行を経験して状態を変えることになる(
図3の線T  INPUT  1002 を参照せよ)
。このラッチ1002 のトグルにより、ラッチ100
2 乃至1007 に記憶された値が増加され、プレデ
コーダ8及び直列デコーダ10はそれに応答してデータ
・レジスタ8の次のグループの4ビットを選択する。し
かし、RSラッチ118の出力が低なので、データ・レ
ジスタ8はラッチ112から分離され、ゆえに次のグル
ープの4ビットの選択は直列入力/出力端末SDn で
出力されるラッチ112に記憶されたデータを妨害しな
い。ラッチ112の第4番目のビットは、図3にBIT
3で示すような高である線PMX3に応答するマルチプ
レクサ124によって出力力用に選択される。この第4
番目のビットはもちろん、直列デコーダ10により選択
されたデータ・レジスタの前の組の4ビットからのもの
である。
Upon the next low-to-high transition of the serial clock signal at terminal SCLK, latches 1000 and 10
The content of 01 becomes the value 10. Therefore, LSB decoder 10 drives line PMX2 high and returns line PMX1 to its low state. The low to high transition on line PMX2 causes a low to high transition at the output of OR gate 120 and resets the output of RS latch 118 to a low level (as shown in FIG. 3). The contents of the latch 112 are output on the third and fourth serial input/output terminals SDn.
Since no data is lost by the separation of data register 8 from latch 112, this separation allows a new set of four bits to be selected in data register 8 without splitting the contents of latch 112. It becomes possible to do so. The third bit stored in latch 112 (ie, BIT2 in FIG. 3) is selected for output by multiplexer 124 in response to line PMX2. Latch 1 is activated by the next period of the serial clock signal of terminal SCLK.
The contents of 000 and 1001 will be increased to the value 11, and the LSB decoder will subsequently assert line PMX3 and pull line PMX2 low. Therefore, the output of NAND gate 104 goes from high level to low level. Line SI controls multiplexer 102 to connect NAND gate 10 for the T and T inputs of latch 1002.
4 output, the T input of latch 1002 will undergo a transition from low to high and change state (
(See line T INPUT 1002 in FIG. 3)
. By toggling the latch 1002, the latch 100
The values stored in 2 through 1007 are incremented and the pre-decoder 8 and serial decoder 10 select the next group of 4 bits of the data register 8 in response. However, since the output of RS latch 118 is low, data register 8 is isolated from latch 112, and therefore the selection of the next group of 4 bits causes the data stored in latch 112 to be output at serial input/output terminal SDn. Don't interfere. The fourth bit of latch 112 is shown in FIG.
is selected for output power by multiplexer 124 responsive to line PMX3 being high as shown at 3. This fourth
The th bit is of course from the previous set of four bits of the data register selected by the serial decoder 10.

【0034】端末SCLKでの直列クロック信号の次の
低から高への移行により、ラッチ1000 及び100
1 の内容を値00に増加する。前述したように、これ
によって、RSラッチ118の出力をセットし、ゆえに
パス・トランジスタ116はデータ・レジスタ8の選択
された4ビットをラッチ112にそこからの出力用に伝
える。線PMX0が上述のように主張され、図3のBI
T0′で示す出力用にラッチ112の4ビットのうちの
第1番目が選択される。
The next low-to-high transition of the serial clock signal at terminal SCLK causes latches 1000 and 100
Increase the contents of 1 to the value 00. As previously discussed, this sets the output of RS latch 118 such that pass transistor 116 communicates the four selected bits of data register 8 to latch 112 for output therefrom. The line PMX0 is asserted above and the BI of FIG.
The first of the four bits of latch 112 is selected for the output designated T0'.

【0035】以上の説明から、デュアル・ポート・メモ
リ1からのデータの直列出力が、データ・レジスタ8の
各増加位置ごとに、カウンタ22の内容全部をその度ご
とにデコードするということは必要とせずに生じるとい
うことが明らかである。ラッチ112に記憶した第2番
目乃至第4番目のビットに関して唯一必要な操作は、ラ
ッチ1000 及び1001 に記憶した2個の最下位
ビットのデコードすることとマルチプレクサ124によ
ってラッチ112の別のデータ・ビットを選択すること
だけである。
From the above discussion, it is clear that the serial output of data from dual port memory 1 does not require decoding the entire contents of counter 22 for each incrementing position of data register 8. It is clear that this occurs without any problems. The only operation required for the second through fourth bits stored in latch 112 is to decode the two least significant bits stored in latches 1000 and 1001 and to decode the other data bits in latch 112 by multiplexer 124. All you have to do is select.

【0036】図3の線T  INPUT  1002 
を説明するが、点線はラッチ1002 へのT入力がパ
イプライン機構なしでトグルされる時間を示している。 ラッチ1002 のT_及びT入力に接続されたラッチ
1001 のQ及びQ_出力により、残りのラッチ10
0n と同様に、ラッチ1002 は、その最大値11
からそのオーバフロー値00に増加するラッチ1000
 及び1001 の内容をトグルする。こうして、第2
図の回路のパイプライン機構により、データ・レジスタ
・アドレスの最上位ビットは1直列クロック周期前の時
間にデコードされることが可能になり、従って(前述の
例において)次の組の4ビットの第1番目のビットが出
力される時間までに、カウンタ22の5個の最上位ビッ
トにより記憶された値が増加され、デコードされるよう
になる。ゆえにこの構造は、各直列クロック周期の増加
後にカウンタ22の内容をデコードする必要がある従来
の直列ポートよりも一層速い直列出力ストリームを提供
する。
Line T INPUT 1002 in FIG.
, where the dotted line indicates the time the T input to latch 1002 is toggled without a pipeline mechanism. The Q and Q_ outputs of latch 1001 connected to the T_ and T inputs of latch 1002 cause the remaining latches 10
0n, the latch 1002 has its maximum value 11
latch increasing from 1000 to its overflow value 00
and toggle the contents of 1001. Thus, the second
The pipeline mechanism of the circuit shown allows the most significant bit of the data register address to be decoded one serial clock period earlier in time, thus (in the previous example) the next set of 4 bits. By the time the first bit is output, the value stored by the five most significant bits of counter 22 has been incremented and becomes decoded. This structure therefore provides a faster serial output stream than conventional serial ports, which require decoding the contents of counter 22 after each serial clock period increment.

【0037】しかし、カウンタ22の6個の最上位ビッ
トの初期の増加については、直列入力が望ましい場合に
は問題が生じる。例えば、ラッチ1002 の内容が、
前のグループの4個のうちの第4番目のビットに直列入
力される(線PMX3が高い)間にトグルされた場合、
ラッチ112に記憶された4ビットの内容はデータ・レ
ジスタ8の正しくない場所(すなわち、もともと選択さ
れたグループの1グループ前の4ビット)に記憶されて
しまう。よって、パイプラインはなるべくなら直列入力
のために無効にするのがよい。これを達成するには、線
SIによってNANDゲート104の真及び補数の出力
をラッチ1002 のT_及びT入力に接続するよりも
むしろ、そこに接続するラッチ1001 のQ及びQ_
出力を選択することにより達成する。このようにして、
直列入力の場合、ラッチ1002 のT入力において見
られる信号が図3の破線で示す様にになり、従って選択
されたグループの4個のうちの第1番目のビットへの直
列入力中にラッチ1002 乃至1007 の内容が増
加され、デコードされる。これにより、ラッチ112を
介して直列入力/出力端末SDn で受けた直列入力デ
ータがデータ・レジスタ8の望ましい位置に書き込まれ
ることが確実になる。
However, the initial increment of the six most significant bits of counter 22 presents a problem if a serial input is desired. For example, the contents of latch 1002 are
If toggled while being serially input to the 4th bit of 4 in the previous group (line PMX3 is high),
The contents of the four bits stored in latch 112 are stored in an incorrect location in data register 8 (ie, the four bits one group before the originally selected group). Therefore, pipelines should preferably be disabled for serial input. To accomplish this, rather than connecting the true and complement outputs of NAND gate 104 to the T_ and T inputs of latch 1002 by line SI, the Q and Q_
This is achieved by selecting the output. In this way,
In the case of a serial input, the signal seen at the T input of latch 1002 will be as shown by the dashed line in FIG. The contents of 1007 to 1007 are incremented and decoded. This ensures that the serial input data received at serial input/output terminal SDn via latch 112 is written to the desired location of data register 8.

【0038】データ・レジスタ8の新しい開始位置のア
ドレスが線PS0乃至PS7を介してラッチ1000 
乃至1007 にそれぞれロードされるときに、もしそ
の新しいアドレスが2個の最下位ビットに値11を含む
場合、間違ったアドレス指定が生じる。この様な問題は
、線PS2の状態がラッチ1002 にラッチされた直
後にラッチ1002 の内容をトグルするラッチ100
0 及び1001 の値11に応答して、LSBデコー
ダ110により発生する線PMX3により生じ得る。例
えば、好ましいアドレス値が0000  00112 
であった場合、ラッチ1002 の好ましくないトグル
のため、プレデコーダ108と直列デコーダ110によ
りデコードされたアドレス値が0000  01112
 、すなわちデータ・レジスタ8の好ましい位置の4ビ
ット前となる。従って、第1グループの4ビットの最初
のデコードは、2個の最上位ビットの値11が次のグル
ープの4ビットを「先取りする」ことなく、アドレスの
実行値に従って行われることが望ましい。
The address of the new starting position of data register 8 is sent to latch 1000 via lines PS0 to PS7.
1007 through 1007 respectively, an incorrect addressing occurs if the new address contains the value 11 in the two least significant bits. Such a problem occurs when latch 100 toggles the contents of latch 1002 immediately after the state of line PS2 is latched into latch 1002.
This can be caused by line PMX3 generated by LSB decoder 110 in response to the value 11 of 0 and 1001. For example, the preferred address value is 0000 00112
, the address value decoded by pre-decoder 108 and serial decoder 110 will be 0000 01112 due to the undesired toggling of latch 1002.
, 4 bits before the preferred location of data register 8. Therefore, the initial decoding of the first group of four bits is preferably performed according to the actual value of the address without the value 11 of the two most significant bits "preempting" the next group of four bits.

【0039】図2の回路により、第一グループの4ビッ
トが出力用にラッチ112にロードされるまでラッチ1
002 乃至1007 に記憶される6個の最上位ビッ
トの好ましくない増加を防ぎながら、新しいアドレスを
カウンタ22にロードするという可能性を提供する。線
LDEN上の高論理レベルにより、ラッチ100n が
線PS0乃至PS7上の論理状態でロードされることが
可能になる。この高論理レベルはインバータ111を介
してNANDゲート104の入力に伝えられるので、N
ANDゲート104の出力は線PMX3の状態にかかわ
らずトグルするのを防がれる。この線LDEN上の高論
理状態はパス・トランジスタ114をターン・オンし、
従ってラッチ1002乃至1007 に記憶される値に
対応する4ビットがデコード直後にラッチ112に伝え
られる。 前述のように、LSBデコーダ110の出力はマルチプ
レクサ124を制御して、直列入力/出力端末SDn 
のところで出力用にラッチ112の4ビットのうちの1
ビットを選択する。
The circuit of FIG. 2 causes latch 1 to load until the first group of four bits is loaded into latch 112 for output
This provides the possibility of loading a new address into the counter 22 while avoiding an undesirable increment of the six most significant bits stored in 002 to 1007. A high logic level on line LDEN allows latch 100n to be loaded with a logic state on lines PS0-PS7. This high logic level is passed through inverter 111 to the input of NAND gate 104, so that N
The output of AND gate 104 is prevented from toggling regardless of the state of line PMX3. A high logic state on this line LDEN turns on pass transistor 114,
Therefore, the four bits corresponding to the values stored in latches 1002-1007 are conveyed to latch 112 immediately after decoding. As previously mentioned, the output of LSB decoder 110 controls multiplexer 124 to output serial input/output terminal SDn.
One of the four bits of latch 112 for output at
Select bits.

【0040】いったん線LDENが低状態に戻るとパス
・トランジスタ114はターン・オフされ、線PMX3
の状態が再びラッチ1002 をトグルしてラッチ11
2の第4番目のビットの選択中の状態を変える。このト
グルのため、前述したように、プレデコーダ108と直
列デコーダ10は、前のグループの4ビットから第4番
目のビットを出力する間に、次のグループの4ビットを
出力用に選択することになる。前述のように、線PMX
2上の高論理状態はRSラッチ118をリセットするの
で、次のグループの4ビットが選択される間、ラッチ1
12はデータ・レジスタ8から分離される。ANDゲー
ト122とORゲート120を提供して、ロードされた
アドレスの2個の最下位ビットが11である(すなわち
、RSラッチ118をリセットするべきPMX2信号が
何もない)場合に、ラッチ112が分離されるようにす
る。もし線LDENと線PMX3の両方が同時に高論理
状態である。(すなわち、ロードされたアドレスが11
で終わる)場合、ANDゲート122により高レベルが
ORゲート120に現われ、よって、RSラッチ118
がリセットされてパス・トランジスタ116がターン・
オフされる。線LDENはパス・トランジスタ114を
ターン・オンし、NANDゲート104のトグルを無効
にしたので、新しい最初のアドレスにより選択された4
ビットはパス・トランジスタ114を介してラッチ11
2にロードされ、第4番目のビットがLSBデコーダ1
0からの線PMX3上の高論理状態に応答してマルチプ
レクサ124により選択される。
Once line LDEN returns low, pass transistor 114 is turned off and line PMX3
state again toggles latch 1002 and latch 11
Change the selected state of the fourth bit of 2. Because of this toggle, pre-decoder 108 and serial decoder 10 select the next group of four bits for output while outputting the fourth bit from the previous group, as described above. become. As mentioned above, the line PMX
A high logic state on 2 resets RS latch 118, so latch 1 remains on while the next group of 4 bits is selected.
12 is separated from data register 8. AND gate 122 and OR gate 120 are provided to indicate that latch 112 is 11 when the two least significant bits of the loaded address are 11 (i.e., there is no PMX2 signal to reset RS latch 118). to be separated. If line LDEN and line PMX3 are both in a high logic state at the same time. (i.e. the loaded address is 11
), the AND gate 122 causes a high level to appear at the OR gate 120, thus causing the RS latch 118 to
is reset and pass transistor 116 turns.
It will be turned off. Line LDEN turns on pass transistor 114 and disables the toggling of NAND gate 104 so that the 4 selected by the new initial address
The bit is transferred to latch 11 via pass transistor 114.
2 and the 4th bit is loaded into LSB decoder 1
selected by multiplexer 124 in response to a high logic state on line PMX3 from zero.

【0041】線PMX3が高であるときに線LDENが
続いて低論理状態に戻ると、パス・トランジスタ114
がターン・オフし、ORゲート120とANDゲート1
22の作動によりラッチ118がリセットされるため、
ラッチ112がデータ・レジスタ8から分離される。同
様に、線LDENが続いて低論理レベルに戻ると(線P
MX3は高いが)NANDゲート104の出力は低状態
になり、ラッチ1002 のT出力をトグルし、ラッチ
1002 乃至1007 に記憶したカウントを増加す
る。これにより、プレデコーダ8と直列デコーダ10は
増加されたカウントをデコードし、データ・レジスタ8
の次の対応するグループの4ビットを選択することがで
きる。 前述のように、端末SCLKの直列クロック信号の次の
周期で、線PMX0はラッチ1000 及び1001 
のトグルに従って高レベルになり、RSラッチ118を
セットし、データ・レジスタ8の選択された4個のデー
タ・ビットをラッチ112に、そこから出力するために
接続する。
If line LDEN subsequently returns to a low logic state while line PMX3 is high, pass transistor 114
turns off, OR gate 120 and AND gate 1
Since the latch 118 is reset by the operation of 22,
A latch 112 is isolated from data register 8. Similarly, when line LDEN subsequently returns to a low logic level (line P
The output of NAND gate 104 goes low (although MX3 is high), toggling the T output of latch 1002 and incrementing the count stored in latches 1002-1007. This causes predecoder 8 and serial decoder 10 to decode the incremented count and data register 8
The next corresponding group of 4 bits can be selected. As previously mentioned, on the next period of the serial clock signal at terminal SCLK, line PMX0 is connected to latches 1000 and 1001.
toggles high, setting RS latch 118 and connecting the four selected data bits of data register 8 to latch 112 for output therefrom.

【0042】さて図4を参照して、本発明の別の好まし
い実施例を説明する。図4に示す実施例の素子は図2の
実施例の素子のような機能を実行し、同一参照番号で示
される。図4の実施例により、ラッチ1000 に記憶
されたアドレスの最下位ビットの状態に応じてパイプラ
イニングを実行する。従って、ラッチ1001 乃至1
007 に記憶されるアドレスの7個の最上位ビットは
、プレデコーダ108と直列デコーダ10によりデコー
ドされて、データ・レジスタ8の256ビットのうちの
2ビットを選択する。
Referring now to FIG. 4, another preferred embodiment of the present invention will be described. The elements of the embodiment shown in FIG. 4 perform functions like the elements of the embodiment of FIG. 2 and are designated by the same reference numerals. The embodiment of FIG. 4 performs pipelining depending on the state of the least significant bit of the address stored in latch 1000. Therefore, latches 1001 to 1
The seven most significant bits of the address stored in 007 are decoded by predecoder 108 and serial decoder 10 to select 2 bits of the 256 bits of data register 8.

【0043】直列出力モードのマルチプレクサ102に
よりラッチ1000のQ及びQ_出力をラッチ1001
 のT及びT_入力にそれぞれ接続し、従ってラッチ1
000 の内容が0から1に切り替わるのに応答して、
実行値の直列クロック信号の1周期前にラッチ1001
 をトグルする。これにより、プレデコーダ108と直
列デコーダ10は、前のグループの2ビットの第2番目
を出力している間に、記憶したアドレスの7個の最上位
ビットの内容を増加することが可能にされる。直列入力
モードでは、マルチプレクサ102により、ラッチ10
00 と1001 との間の接続を反転させ、ラッチ1
000 のQ及びQ_出力をラッチ1001 のT_及
びT入力にそれぞれ接続するようにするが、これは他の
ラッチ1001 乃至1007 の接続と同様である。 従って、線SI上の信号によりマルチプレクサ102を
直列出力モードのパイプライン接続の選択用に制御する
。同様に、線LDENをマルチプレクサ102への制御
入力として提供し、従ってラッチ1001 のT_及び
T入力にそれぞれ接続されているラッチ1000 のQ
及びQ_出力の直列入力モード接続が、線PS0乃至P
S7からラッチ1001 乃至1007 をロードして
いる間に選択される。ラッチ112は2−(ツゥー)1
(2から1への)のマルチプレクサ124に接続されて
おり、そのマルチプレクサの制御入力はラッチ1000
 のQ及びQ_出力に接続されて、直列入力/出力端末
SDn に伝えるためにそこに記憶された情報の2ビッ
ト中から選択する。
Multiplexer 102 in serial output mode connects Q and Q_outputs of latch 1000 to latch 1001.
respectively to the T and T_ inputs of latch 1
In response to the content of 000 switching from 0 to 1,
Latch 1001 one period before the serial clock signal of the execution value.
toggle. This allows predecoder 108 and serial decoder 10 to increment the contents of the seven most significant bits of the stored address while outputting the second of the two bits of the previous group. Ru. In series input mode, multiplexer 102 allows latch 10
Reverse the connection between 00 and 1001 and latch 1
The Q and Q_ outputs of 000 are connected to the T_ and T inputs of latch 1001, respectively, similar to the connections of the other latches 1001 to 1007. Thus, the signal on line SI controls multiplexer 102 for selection of pipeline connections in serial output mode. Similarly, the Q
The series input mode connection of the
Selected while loading latches 1001-1007 from S7. Latch 112 is 2-(two)1
(2 to 1) multiplexer 124 whose control input is connected to latch 1000.
to select between two bits of information stored therein for conveying to the serial input/output terminal SDn.

【0044】パス・トランジスタ114はデータ・レジ
スタ8とラッチ112の間に接続されて、その間のデー
タの2ビットを伝送する。図2のように平明にするため
に1個のパス・トランジスタ114のみを図4に示すが
、もちろん2個のパス・トランジスタ114が2本のデ
ータ線のそれぞれに用いられており、トリステート・バ
ッファも同様にその場所に用いられている。パス・トラ
ンジスタ114のゲートはORゲート200の出力に接
続されている。ORゲート200には3入力あり、その
うちの1本はANDゲート202の出力に接続されてお
り、他の2入力は線LDEN及びSIに接続されている
。この様にして、パス・トランジスタ114は、(線L
DENが高論理レベルである)ラッチ1001 乃至1
007 のロード中の、または、線SCLK上の直列ク
ロック信号とラッチ1000 のQ_出力が共に高であ
るような時間中の、(線SIが高論理レベルである)直
列入力モードで導電性になる。
Pass transistor 114 is connected between data register 8 and latch 112 to transmit two bits of data therebetween. Only one pass transistor 114 is shown in FIG. 4 for clarity as in FIG. 2, but of course two pass transistors 114 are used for each of the two data lines and the tristate Buffers are also used in that location. The gate of pass transistor 114 is connected to the output of OR gate 200. OR gate 200 has three inputs, one of which is connected to the output of AND gate 202, and the other two inputs are connected to lines LDEN and SI. In this way, pass transistor 114 (line L
DEN is at a high logic level) latches 1001 to 1
Becomes conductive in series input mode (line SI is at a high logic level) during loading of 007 or during times when the serial clock signal on line SCLK and the Q_output of latch 1000 are both high. .

【0045】さて、図5を参照して、図4の別の好まし
い実施例の動作を説明するが、同図は直列出力モード中
のラッチ1000 乃至1007 のローディング後の
ものである。ラッチ1000 のQ出力は線SCLKで
受けた直列クロック信号の全周期を変えるものとして示
す。直列出力モードを選択したので、ラッチ1001 
のT入力はラッチ1000のQ出力の後に続き、低から
高への移行をするラッチ1000 のQ出力に応答して
、ラッチ1001 乃至1007 内容が増加する。図
5に示すラッチ1001 のT入力の破線波形は、直列
入力モード中にそれに接続されたラッチ1000 のQ
_出力の関係を示す。従って、直列出力モードでは、ラ
ッチ1001 乃至1007 の内容は、それらが直列
入力モードで増加するとき(すなわち、ここに説明され
るパイプライン機構なしのとき)よりも直列クロック信
号の1全周期前に増加する。
The operation of the alternative preferred embodiment of FIG. 4 will now be described with reference to FIG. 5, which is shown after loading of latches 1000-1007 during serial output mode. The Q output of latch 1000 is shown as changing the full period of the serial clock signal received on line SCLK. Since we have selected serial output mode, latch 1001
The T input of latch 1000 follows the Q output of latch 1000, and the contents of latches 1001-1007 increase in response to the Q output of latch 1000 making a low-to-high transition. The dashed waveform of the T input of latch 1001 shown in FIG.
_ Shows the relationship between outputs. Therefore, in serial output mode, the contents of latches 1001 through 1007 increase one full period of the serial clock signal earlier than when they increase in serial input mode (i.e., without the pipeline mechanism described herein). To increase.

【0046】直列出力ストリーム中、線SI及びLDE
Nが共に低であるので、ORゲート200はANDゲー
ト202の出力に応答する。ANDゲート202は、ラ
ッチ1000 のQ_出力が高で(従って第5図のQ1
000 は低で)、線SCLK上の直列クロック信号が
高であるような時に、高出力を有する。ORゲート20
0からの高出力は、パス・トランジスタ114をターン
・オンし、データ・レジスタ8からの選択された対のビ
ットをラッチ112に接続する。線SCLKの直列クロ
ック信号が低に戻った後、パス・トランジスタ114は
ターン・オフされてラッチ112がデータ・レジスタ8
から分離される。上述したように、ラッチ1000 の
Q出力が高であるような時にラッチ1001 のT入力
は低から高への移行を行なうので、カウンタ22の7個
の最上位ビットが増加され、プレデコーダ108と直列
デコーダ10によりデコードされる。これは、前に選択
された対の第2番目のビット(例えば図5のBIT  
1)が出力のところに現れているような時に発生する。 ORゲート200の出力がこの時に低であるので、パス
・トランジスタ114はラッチ112をデータ・レジス
タ8から分離して、出力されるデータが、ラッチ100
1 乃至1007 の増加された内容のデコードの完了
によって妨害されないようにするが、これは、端末SC
LKの直列クロック信号のこの期間中に生じる。端末S
CLKの直列クロック信号の次の低から高への移行に応
じて、ORゲート200の出力は高くなるので、パス・
トランジスタ114はデータ・レジスタ8中で選択され
た次のグループの2ビットをラッチ112に伝え、ラッ
チ1000 のQ_出力はマルチプレクサ124を介し
てその2ビットのうちの第1番目のビットを出力用に選
択するが、これは第5図のBIT0′で示す。
In the serial output stream, lines SI and LDE
Since N are both low, OR gate 200 is responsive to the output of AND gate 202. AND gate 202 is connected when the Q_output of latch 1000 is high (and therefore Q1 in FIG.
000 is low) and has a high output when the serial clock signal on line SCLK is high. OR gate 20
A high output from 0 turns on pass transistor 114 and connects the selected pair of bits from data register 8 to latch 112. After the serial clock signal on line SCLK returns low, pass transistor 114 is turned off and latch 112 is connected to data register 8.
separated from As mentioned above, since the T input of latch 1001 makes a low-to-high transition such that the Q output of latch 1000 is high, the seven most significant bits of counter 22 are incremented and the 7 most significant bits of counter 22 are incremented and It is decoded by a serial decoder 10. This is the second bit of the previously selected pair (e.g. BIT
This occurs when 1) appears at the output. Since the output of OR gate 200 is low at this time, pass transistor 114 isolates latch 112 from data register 8 so that the output data is connected to latch 100.
1 to 1007 is not disturbed by the completion of the decoding of the incremented contents of Terminal SC
occurs during this period of the LK serial clock signal. Terminal S
In response to the next low-to-high transition of the CLK serial clock signal, the output of OR gate 200 will go high, thus increasing the pass signal.
Transistor 114 transfers the next group of two bits selected in data register 8 to latch 112, and the Q_output of latch 1000 directs the first of the two bits for output via multiplexer 124. This is indicated by BIT0' in FIG.

【0047】直列入力中、図2の実施例のように、パイ
プラインされたデコードはなるべくなら、この例では無
効にして、入力データの第2番目のビットが好ましい位
置の2ビット前に書き込まれないようにするのがよい。 従って、線SIにより、マルチプレクサ102は、ラッ
チ1000 のQ及びQ_出力をラッチ1001 のT
_及びT入力にそれぞれ接続させ、他のラッチ100n
 も同じ様にさせる。更に、このデコードは入力データ
と矛盾なく発生するので、線SIはORゲート200を
介してパス・トランジスタ114を直列入力動作の間ず
っと導電性にしたままにする。
During serial input, as in the embodiment of FIG. 2, pipelined decoding is preferably disabled in this example so that the second bit of the input data is written two bits before the desired position. It is better to avoid it. Therefore, line SI causes multiplexer 102 to route the Q and Q outputs of latch 1000 to the T outputs of latch 1001.
_ and T input, respectively, and connect the other latch 100n
Let them do the same thing. Furthermore, since this decoding occurs consistently with the input data, line SI, via OR gate 200, leaves pass transistor 114 conductive throughout the series input operation.

【0048】図2の実施例と同様に、新しい内容をラッ
チ1001 乃至1007 にロードする間に別のやり
方を採用したとき生じるかもしれない潜在的な曖昧性は
、図4の構造により防ぐことができる。このローディン
グ中、線LDENが高論理レベルにある場合、マルチプ
レクサ102はラッチ1000 のQ及びQ_出力をそ
れぞれラッチ1001 のT_及びT入力に接続し、他
のラッチ100n も同じ様にする。このようにして、
1001 の状態の初期の増加は、データ・レジスタ8
からの第1番目の出力ビットを妨害しなくなる。更に、
ORゲート200は高である線LDENに応答して、パ
ス・トランジスタ114をターン・オンするので、カウ
ンタ22の新しい内容によって選択されたビット対がラ
ッチ112に直列伝えられる。線LDENが低に戻って
からは、図5に関連して以上に説明したような動作が続
く。
Similar to the embodiment of FIG. 2, the structure of FIG. can. During this loading, if line LDEN is at a high logic level, multiplexer 102 connects the Q and Q_ outputs of latch 1000 to the T_ and T inputs of latch 1001, respectively, and so on to other latches 100n. In this way,
An initial increase in the state of 1001 indicates that data register 8
will no longer disturb the first output bit from the . Furthermore,
OR gate 200 turns on pass transistor 114 in response to line LDEN being high, so that the bit pair selected by the new contents of counter 22 is passed serially to latch 112. Once line LDEN returns low, operation continues as described above with respect to FIG.

【0049】ここに説明した実施例の特徴は、もちろん
、スプリット・データ・レジスタ8のようなデュアルポ
ート・メモリ1の直列側の様々な構造に適用することが
できるということに注意されたい。これらのスプリット
・データ・レジスタ8により、スプリット・データ・レ
ジスタ8と転送ゲート4との1つの間の転送が、ここに
開示するパイプライニングを用いる出力の様な別のスプ
リット・データ・レジスタ8からの直列出力中に可能に
される。
It should be noted that the features of the embodiments described herein can, of course, be applied to various structures on the serial side of the dual-port memory 1, such as the split data register 8. These split data registers 8 allow transfers between a split data register 8 and one of the transfer gates 4 to be transferred from another split data register 8, such as an output using the pipelining disclosed herein. during serial output.

【0050】以上に、本発明を実施例を参照して説明し
たが、この説明は単なる例であって、制約的な解釈をし
ようとするものではないということを理解されたい。更
に、この説明を参照する当業者にとって、本発明のこれ
らの実施例の詳細への多くの変更及び実施例の追加をな
すことが明らかでありまた可能であろうということを理
解されたい。更に、説明した実施例と同一の結果を達成
するために、当業者は、現在及び未来の同等の構成と、
ここに説明したものをたやすく置換えてもよい。このよ
うな変更、置換え、及び追加の実施例は、本発明の特許
請求の精神及び範囲内にあるものとする。
Although the present invention has been described above with reference to embodiments, it should be understood that this description is merely an example and is not intended to be construed as restrictive. Furthermore, it is to be understood that many changes to the details of and additions to these embodiments of the invention will be apparent and possible to those skilled in the art upon reference to this description. Additionally, those skilled in the art will be able to use current and future equivalent configurations to achieve the same results as the described embodiments.
Those described here may be easily substituted. All such modifications, substitutions, and additional embodiments are intended to be within the spirit and scope of the following claims.

【0051】以上の説明に関連して、更に、下記の項を
開示する。
[0051] In connection with the above description, the following sections are further disclosed.

【0052】(1)  行及び列に配列したメモリ位置
のアレイとレジスタとを有し、直列クロック信号に応答
して、そのレジスタに前記アレイの選択した1行中の複
数のメモリ・セルの内容を転送することができ、またそ
のレジスタからデータを直列出力端末のところで直列に
出力することができるようなタイプのメモリにおいて、
直列制御回路が、最上位部分と最下位部分とに配列され
て、前記レジスタ中の1個の位置に対応する値を記憶す
るカウンタであって、前記カウンタが前記直列クロック
信号を受信し、それに応答してその内容を増加すること
と、前記カウンタと前記レジスタとに接続されて、前記
カウンタの前記最上位部分により記憶された値に従って
前記レジスタ中の複数の位置を選択するデコーダと、前
記デコーダにより選択された複数のレジスタ位置の内容
を記憶するラッチと、前記レジスタと前記ラッチとの間
に接続され、分離制御信号に応答して前記ラッチを前記
レジスタから選択的に分離する手段と、前記カウンタの
前記最下位の部分に接続され、前記カウンタの前記最下
位部分の内容に応答して、前記分離手段に対して前記分
離制御信号を発生しかつ前記カウンタの所定の組の段に
より記憶された内容を増加する制御論理とを含む直列制
御回路。
(1) having an array of memory locations arranged in rows and columns and a register, the register being responsive to a serial clock signal to store the contents of a plurality of memory cells in a selected row of said array; in a type of memory that can transfer data from its registers and output the data serially at a serial output terminal.
a counter arranged in a most significant portion and a least significant portion to store a value corresponding to a position in the register, the counter receiving the serial clock signal; a decoder connected to said counter and said register to select a plurality of positions in said register according to a value stored by said top portion of said counter; a latch for storing the contents of a plurality of register locations selected by the register; means connected between the register and the latch for selectively isolating the latch from the register in response to an isolation control signal; connected to said lowest portion of the counter for generating said separation control signal to said separation means in response to the contents of said lowest portion of said counter and stored by a predetermined set of stages of said counter; and control logic that increases the content of the serial control circuit.

【0053】(2)  第(1)項に記載した直列制御
回路において、前記カウンタが複数の段を含むリプル・
カウンタであって、各前記段がトグル入力を有し、前記
カウンタの最下位段が前記直列クロック信号をそのトグ
ル入力のところで受信し、前記カウンタの前記最上位部
分の最下位段が前記制御論理に接続されたトグル入力を
有し、各他の前記段が次の最下位段の出力に接続された
トグル入力を有する直列制御回路。
(2) In the series control circuit described in item (1), the counter is a ripple controller including a plurality of stages.
a counter, each of said stages having a toggle input, a bottom stage of said counter receiving said serial clock signal at its toggle input, and a bottom stage of said top portion of said counter having a toggle input; a series control circuit having a toggle input connected to the output of the next lowest stage; and each other said stage having a toggle input connected to the output of the next lowest stage.

【0054】(3)  第(2)項に記載した直列制御
回路において、前記制御論理が、前記カウンタの前記最
下位部分がオーバフローよりも少ない(未満の)値を有
するのに応答して、前記カウンタの前記最上位部分の最
下位段にトグル入力を与える直列制御回路。
(3) In the series control circuit according to paragraph (2), the control logic is configured to control the control logic in response to the lowest portion of the counter having a value less than an overflow. A series control circuit that provides a toggle input to the lowest stage of said top portion of the counter.

【0055】(4)  第(2)項に記載した直列制御
回路において、前記カウンタの前記段が更にプリセット
入力とロード可能入力とを有し、ゆえに、各段がロード
可能信号に応答して前記プリセット入力の論理状態でロ
ードされる直列制御回路。
(4) In the series control circuit as described in paragraph (2), the stages of the counter further have a preset input and a loadable input, so that each stage responds to the loadable signal to Series control circuit loaded with logic states of preset inputs.

【0056】(5)  第(4)項に記載した直列制御
回路において、前記分離手段が前記ロード可能信号に応
答して前記レジスタを前記ラッチに接続する直列制御回
路。
(5) In the serial control circuit according to item (4), the separating means connects the register to the latch in response to the load enable signal.

【0057】(6)  第(5)項に記載した直列制御
回路において、前記制御論理が、前記カウンタの前記最
下位部分がその最大値に達するのに応答して、前記カウ
ンタの前記最上位部分を増加する直列制御回路。
(6) In the series control circuit according to paragraph (5), the control logic is configured to control the most significant portion of the counter in response to the least significant portion of the counter reaching its maximum value. Series control circuit to increase.

【0058】(7)  第(6)項に記載した直列制御
回路において、前記制御論理が、前記ロード可能信号に
応答して、前記カウンタの前記最下位部分が前記最大値
に達するのに応じて前記所定の組の段の内容を増加する
ことができない直列制御回路。
(7) In the serial control circuit according to paragraph (6), the control logic is configured to operate in response to the load enable signal as the lowest portion of the counter reaches the maximum value. A series control circuit in which the contents of said predetermined set of stages cannot be increased.

【0059】(8)  第(1)項に記載した直列制御
回路であって、更に、前記ラッチと前記直列出力端末と
の間に接続され、かつ前記カウンタの前記最下位部分の
内容に応答して制御入力を有して、前記直列出力端末と
のデータの伝達用に前記ラッチの1個の位置を選択する
直列マルチプレクサを含む直列制御回路。
(8) The series control circuit described in paragraph (1), further comprising: a serial control circuit connected between the latch and the serial output terminal, and responsive to the contents of the lowest portion of the counter; a serial multiplexer having a control input for selecting a position of one of the latches for communication of data with the serial output terminal;

【0060】(9)  第(1)項に記載した直列制御
回路において、前記カウンタの前記最下位部分が単一ビ
ットを記憶する直列制御回路。
(9) The serial control circuit according to item (1), wherein the least significant portion of the counter stores a single bit.

【0061】(10)  第(1)項に記載した直列制
御回路において、前記カウンタの前記第一段が複数ビッ
トを記憶する直列制御回路。
(10) In the serial control circuit described in item (1), the first stage of the counter stores a plurality of bits.

【0062】(11)  第(1)項に記載した直列制
御回路において、前記制御論理が、前記カウンタの前記
最下位部分がその最大値に達するのに応答して、前記カ
ウンタの前記最上位部分を増加する直列制御回路。
(11) In the serial control circuit according to paragraph (1), the control logic is configured to control the most significant portion of the counter in response to the least significant portion of the counter reaching its maximum value. Series control circuit to increase.

【0063】(12)  第(11)項に記載した直列
制御回路において、前記制御論理が前記所定の組の段の
内容を増加するのに先立って前記分離制御信号を発生す
る直列制御回路。
(12) The serial control circuit of paragraph (11), wherein the control logic generates the separate control signal prior to incrementing the contents of the predetermined set of stages.

【0064】(13)  行及び列に配列したメモリ位
置のアレイと、前記アレイに接続されて、行アドレス信
号に応答して前記メモリ位置の1行を選択する手段と、
直列アクセス端末と、複数の位置を含むレジスタと、前
記アレイと前記レジスタのとの間に接続されて、前記ア
レイの選択された1行中の複数のメモリ・セルの内容を
前記レジスタに転送する手段と、直列クロック信号を受
信する直列クロック端末と、多数の段を含み、前記レジ
スタの1個の位置に対応する値を記憶するカウンタであ
って、前記カウンタの最下位段が前記直列クロック端末
に動作的に接続されており、従って、その内容が前記直
列クロック信号に応答して増加されることと、前記カウ
ンタと前記レジスタとの間に接続されて、前記カウンタ
の所定の組の段の内容に応答して前記レジスタの複数の
位置を選択するデコーダであって、前記所定の組の段が
前記カウンタの最上位ビットを表わすことと、前記レジ
スタと前記直列アクセス端末との間に接続されて、前記
複数のレジスタ位置の選択された1個の内容をその間で
伝えるマルチプレクサであって、前記選択されたレジス
タ位置が前記カウンタの残りの内容に対応し、前記所定
の組の段にはないことと、前記カウンタの前記残りに接
続されて、前記カウンタの前記残りの内容がそのオーバ
フロー値以外の所定の値に達するのに応答して前記カウ
ンタの前記所定の組の段の内容を増加する制御論理とを
含むメモリ。
(13) an array of memory locations arranged in rows and columns, and means connected to the array for selecting a row of the memory locations in response to a row address signal;
a serial access terminal and a register including a plurality of locations, the serial access terminal being connected between the array and the register to transfer the contents of a plurality of memory cells in a selected row of the array to the register; means, a serial clock terminal for receiving a serial clock signal, and a counter comprising a number of stages and storing a value corresponding to a position of said register, the lowest stage of said counter being connected to said serial clock terminal. operatively connected to a predetermined set of stages of the counter, the contents thereof being incremented in response to the serial clock signal; a decoder for selecting a plurality of positions of said register in response to contents, said predetermined set of stages representing the most significant bits of said counter; a multiplexer for communicating the contents of a selected one of the plurality of register locations therebetween, the selected register location corresponding to the remaining contents of the counter and not in the predetermined set of stages; and being connected to the remainder of the counter to increase the contents of the predetermined set of stages of the counter in response to the remainder contents of the counter reaching a predetermined value other than its overflow value. memory containing control logic;

【0065】(14)  第(13)項に記載したメモ
リであって、更に、前記レジスタと前記ラッチとの間に
接続されて、分離制御信号に応答して前記ラッチを前記
レジスタから分離する分離手段と、前記制御信号が同様
に、前記カウンタの前記残りの内容がそのオーバフロー
値以外の所定の値に達するのに応答して、前記分離制御
信号を発生することとを含むメモリ。
(14) The memory according to item (13), further comprising an isolation device connected between the register and the latch to isolate the latch from the register in response to a isolation control signal. means and said control signal also generating said isolation control signal in response to said remaining contents of said counter reaching a predetermined value other than its overflow value.

【0066】(15)  第(13)項に記載したメモ
リにおいて、前記カウンタの前記残りが単一段を含むメ
モリ。 (16)  第(13)項に記載したメモリにおいて、
前記カウンタの前記残りが複数段を含むメモリ。
(15) The memory according to paragraph (13), wherein the remainder of the counters includes a single stage. (16) In the memory described in paragraph (13),
A memory in which the remainder of the counter includes multiple stages.

【0067】(17)  第(13)項に記載したメモ
リにおいて、前記カウンタがリプル・カウンタであって
、その中の前記段がトグル入力を有し、前記カウンタの
最下位段がそのトグル入力のところで前記直列クロック
信号を受信し、前記所定の組の最下位段のトグル入力が
前記制御論理に接続され、前記カウンタの他の段のトグ
ル入力が次の最下位段の出力に接続されていることと、
前記制御論理が、前記カウンタの前記残りの内容がその
オーバフロー値以外の所定の値に達するのに応答して、
前記所定の組の最下位段の前記トグル入力に信号を提供
することとを特徴とするメモリ。
(17) In the memory described in paragraph (13), the counter is a ripple counter, the stage thereof has a toggle input, and the lowest stage of the counter has a toggle input of the toggle input. wherein the serial clock signal is received, the toggle input of the lowest stage of the predetermined set is connected to the control logic, and the toggle input of the other stage of the counter is connected to the output of the next lowest stage. And,
the control logic, in response to the remaining contents of the counter reaching a predetermined value other than its overflow value;
providing a signal to the toggle input of the lowest stage of the predetermined set.

【0068】(18)  第(17)項に記載したメモ
リにおいて、前記制御論理が、前記レジスタが直列入力
データを受け取ることになる直列入力モードを示す直列
選択信号に応答し、前記直列入力モード中の前記制御論
理が、前記残りの内容がそのオーバフロー値に達するの
に応答して前記所定組の段の内容を増加するメモリ。
(18) In the memory of paragraph (17), the control logic is responsive to a serial selection signal indicating a serial input mode in which the register is to receive serial input data; The control logic of the memory increases the contents of the predetermined set of stages in response to the remaining contents reaching an overflow value.

【0069】(19)  第(18)項に記載したメモ
リにおいて、前記直列アクセス端末が同様に直列入力デ
ータを受け取るためのものであるメモリ。
(19) A memory according to paragraph (18), wherein the memory is for the serial access terminal to likewise receive serial input data.

【0070】(20)  第(19)項に記載したメモ
リにおいて、前記制御論理が、前記カウンタの前記残り
の段の出力に接続されたLSBデコーダであって、前記
デコーダが前記カウンタの前記残りに記憶されたそのオ
ーバフロー値以外の所定の値に対応する出力を有するこ
とと、制御マルチプレクサであって、前記LSBデコー
ダの前記出力に接続されたデータ入力と、前記残りの段
の最上位段の出力に接続されたデータ入力と、前記直列
入力選択信号を受信する制御入力と、前記所定の組の中
の前記最下位ビットのトグル入力に接続された出力とを
有し、それにより、前記残りの段の前記最上位段の出力
が前記直列入力モード中に前記制御マルチプレクサの出
力に伝えられ、また前記LSBデコーダの出力が前記直
列入力モードでないときに前記制御マルチプレクサの出
力に伝えられることとを含むメモリ。
(20) In the memory described in item (19), the control logic is an LSB decoder connected to the output of the remaining stage of the counter, and the decoder is connected to the output of the remaining stage of the counter. a control multiplexer having an output corresponding to a predetermined value other than its stored overflow value; and a control multiplexer having a data input connected to the output of the LSB decoder and an output of the topmost stage of the remaining stages. a control input for receiving the serial input selection signal, and an output connected to the toggle input of the least significant bit in the predetermined set, thereby an output of the top stage of stages is communicated to an output of the control multiplexer during the serial input mode, and an output of the LSB decoder is communicated to the output of the control multiplexer when not in the serial input mode. memory.

【0071】(21)  第(19)項に記載したメモ
リにおいて、前記カウンタの前記残りが単一段を含むメ
モリ。
(21) The memory according to paragraph (19), wherein the remainder of the counters includes a single stage.

【0072】(22)  第(21)項に記載したメモ
リにおいて、前記制御論理が、制御マルチプレクサであ
って、前記残りの段の出力に接続されたデータ入力と、
前記残りの段の出力の補数に接続されたデータ入力と、
前記所定の組の中の前記最下位ビットのトグル入力に接
続された出力と、前記直列入力選択信号を受信する制御
入力とを有し、それにより、前記マルチプレクサの出力
が前記残りの段のオーバフローの内容に応答して前記直
列入力モード中に前記所定の組の中の前記最下位ビット
にトグル信号を与え、また、前記制御マルチプレクサの
出力が前記直列入力モードでないときに前記残りの段の
出力が変化するがオーバフローしないのに応答してそこ
にトグル信号を与えることとを含むメモリ。
(22) In the memory described in item (21), the control logic is a control multiplexer, and has a data input connected to the output of the remaining stage;
a data input connected to the complement of the output of the remaining stage;
an output connected to a toggle input of the least significant bit in the predetermined set and a control input receiving the serial input selection signal, such that the output of the multiplexer is connected to the toggle input of the least significant bit in the predetermined set; provides a toggle signal to the least significant bit in the predetermined set during the serial input mode in response to the contents of the output of the control multiplexer and the output of the remaining stages when not in the serial input mode. and giving it a toggle signal in response to the memory changing but not overflowing.

【0073】(23)  パイプライン直列ポートの特
徴をなすデュアルポート・メモリを開示する。デュアル
ポート・メモリの直列側は、所定の段の間で分けられた
リプル・カウンタ22を含む。その分かれ目より上位の
段の内容をデコードして、出力用に直列レジスタ8の1
グループのビットを選択し、またその内容はラッチ11
2でラッチする。直列出力において、分かれ目より下位
の段の内容をデコードし、従って、その分かれ目より下
位の段がある値に達するのに応答してその分かれ目より
上位の段が増加され、その増加された値がデコードされ
る。レジスタ8とラツチとの間のパス・トランジスタ1
14,116は、増加した値がデコードされているよう
な時間中にターン・オフされ、従って、新しい値が出力
を妨害しない。ラッチした出力は、割れ目より下位の段
の値に応答してラッチ・ビットを選択するマルチプレク
サ124により選択的に表わされる。段の値がその最大
値(すなわち、次のグループの第一番目のビット)に達
すると、パス・トランジスタ114,116を可能にし
て、分かれ目より上位の段の増加した内容に対応する内
容が出力のところで次に表わされるようにする。論理を
提供して、直列入力中に段が分かれないようにし、入力
データの記憶に先立つカウンタ22の初期の増加を防ぐ
。論理を同様に提供して、カウンタに新しい値がロード
された後、最初に、分かれ目より上位のカウンタ段の初
期の増加に妨害されずに第一ビットが出力されるように
する。
(23) Discloses a dual-port memory featuring pipelined serial ports. The serial side of the dual-port memory includes a ripple counter 22 divided between predetermined stages. The contents of the stages above the dividing point are decoded and output to 1 of serial register 8.
Selects the bits of the group and its contents are latch 11
Latch at 2. In a serial output, the contents of the stages below the break are decoded, so that in response to the stages below the break reaching a certain value, the stages above the break are incremented, and the incremented value is decoded. be done. Pass transistor 1 between resistor 8 and latch
14, 116 are turned off during such times that the increased value is being decoded, so the new value does not disturb the output. The latched outputs are selectively represented by multiplexer 124, which selects the latched bits in response to the values of the stages below the split. When the value of a stage reaches its maximum value (i.e., the first bit of the next group), pass transistors 114 and 116 are enabled to output the contents corresponding to the increased contents of the stages above the divide. Let it be expressed as follows. Logic is provided to prevent stage separation during serial input and to prevent initial increment of counter 22 prior to storage of input data. Logic is similarly provided so that after the counter is loaded with a new value, the first bit is output first, unencumbered by the initial increments of the counter stages above the divide.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

【図1】本発明にしたがって構成したデュアルポート・
メモリの好ましい実施例の略ブロック図。
[Fig. 1] Dual port configured according to the present invention.
1 is a schematic block diagram of a preferred embodiment of a memory.

【図2】図1のメモリの直列出入力回路の第一の実施例
の大要の電気図。
FIG. 2 is a schematic electrical diagram of a first embodiment of the serial input/output circuit of the memory of FIG. 1;

【図3】図2の回路からの直列出力の動作を説明するタ
イミング図。
FIG. 3 is a timing diagram illustrating the operation of the serial output from the circuit of FIG. 2;

【図4】図1のメモリの直列入出力回路の第二の実施例
の大要の電気図。
FIG. 4 is a schematic electrical diagram of a second embodiment of the serial input/output circuit of the memory of FIG. 1;

【図5】図4の回路からの直列出力の動作を説明するタ
イミング図。
FIG. 5 is a timing diagram illustrating the operation of serial output from the circuit of FIG. 4;

【主な符号の説明】[Explanation of main symbols]

1  デュアルポート・メモリ 8  データ・レジスタ 10  直列デコーダ 22  カウンタ 100n ,112  ラッチ 102,124  マルチプレクサ 108  プレデコーダ 110  LSBデコーダ 1 Dual port memory 8 Data register 10 Serial decoder 22 Counter 100n, 112 latch 102, 124 Multiplexer 108 Pre-decoder 110 LSB decoder

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】  行及び列に配置された複数セルを含み
、その複数セル位置に2進データを記憶するメモリであ
って、行における複数セル位置の内容を転送可能なレジ
スタと、前記レジスタからデータをグループで出力する
ためレジスタ位置のグループを順次選択するための選択
手段と、前記選択手段により選択されたレジスタ位置の
グループからデータグループを受取るために接続された
ラッチと、前記レジスタから前記ラッチへのデータグル
ープの転送をなすための中間データラインと、前記ラッ
チに記憶されたデータを直列出力するためのマルチプレ
クサと、前記ラッチに記憶されたデータグループが出力
される間に次のデータグループが前記中間データライン
を介して前記ラッチに転送されない様に、次のデータグ
ループを前記ラッチから分離する回路とを含むメモリ。
1. A memory comprising a plurality of cells arranged in rows and columns and storing binary data in the plurality of cell positions, the memory comprising: a register capable of transferring contents of the plurality of cell positions in the row; and a register capable of transferring the contents of the plurality of cell positions in the row; selection means for sequentially selecting a group of register locations for outputting data in groups; a latch connected to receive a group of data from the group of register locations selected by the selection means; and a latch connected to receive a group of data from the group of register locations selected by the selection means; an intermediate data line for transferring the data group to the latches; a multiplexer for serially outputting the data stored in the latches; and a multiplexer for serially outputting the data stored in the latches; circuitry for isolating a next group of data from the latch so that it is not transferred to the latch via the intermediate data line.
【請求項2】  選択手段が、ラッチに記憶されたデー
タの直列転送のためマルチプレクサを制御する請求項1
記載のメモリ。
2. Claim 1, wherein the selection means controls a multiplexer for serial transfer of data stored in the latch.
Memory listed.
JP3143324A 1987-10-29 1991-06-14 Memory Pending JPH04252487A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/114,887 US4866678A (en) 1987-05-21 1987-10-29 Dual-port memory having pipelined serial output
US114887 1993-08-31

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63272881A Division JPH02128393A (en) 1987-10-29 1988-10-28 Memory having series control circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04252487A true JPH04252487A (en) 1992-09-08

Family

ID=22358027

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63272881A Pending JPH02128393A (en) 1987-10-29 1988-10-28 Memory having series control circuit
JP3143324A Pending JPH04252487A (en) 1987-10-29 1991-06-14 Memory

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63272881A Pending JPH02128393A (en) 1987-10-29 1988-10-28 Memory having series control circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (2) JPH02128393A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60170087A (en) * 1984-02-15 1985-09-03 Hitachi Ltd Parallel readable memory
JPS6111791A (en) * 1983-12-30 1986-01-20 テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド Improved data memory means in computer system

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5956276A (en) * 1982-09-24 1984-03-31 Hitachi Ltd Semiconductor storage device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6111791A (en) * 1983-12-30 1986-01-20 テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド Improved data memory means in computer system
JPS60170087A (en) * 1984-02-15 1985-09-03 Hitachi Ltd Parallel readable memory

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02128393A (en) 1990-05-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4866678A (en) Dual-port memory having pipelined serial output
US4683555A (en) Serial accessed semiconductor memory with reconfigureable shift registers
US4636986A (en) Separately addressable memory arrays in a multiple array semiconductor chip
US4648077A (en) Video serial accessed memory with midline load
KR100245535B1 (en) A dual bank memory and systems using the same
KR970005392B1 (en) Decrypt / Write Memory with Multiple Column Selection Modes
US4667313A (en) Serially accessed semiconductor memory with tapped shift register
US5195056A (en) Read/write memory having an on-chip input data register, having pointer circuits between a serial data register and input/output buffer circuits
US5406527A (en) Partial write transferable multiport memory
EP0189576B1 (en) Multiple pixel mapped video memory system
JPH1186532A (en) Semiconductor storage device
JP2554785B2 (en) Display drive control integrated circuit and display system
US5528551A (en) Read/write memory with plural memory cell write capability at a selected row address
US4891795A (en) Dual-port memory having pipelined serial output
US5042014A (en) Dual-port memory having pipelined serial output
US5654932A (en) Memory devices with selectable access type and methods using the same
JPH05274862A (en) Semiconductor memory device
JPH1186564A (en) Semiconductor storage device
KR950014901B1 (en) Address decoder which variably selects multiple rows and/or columns and semiconductor memory device using same
US4395765A (en) Multiport memory array
US5450566A (en) Register block circuit for central processing unit of microcomputer
JP3096362B2 (en) Serial access memory
JPH04252487A (en) Memory
US5910919A (en) Circuits, systems and methods for modifying data stored in a memory using logic operations
US6032222A (en) Semiconductor memory device with simultaneously write capability